2026.05.29by 배종인 기자
데이터센터 전력 수요가 AI 확산으로 폭증하며 기존 48V 아키텍처가 한계에 도달했고, 800V DC 기반 구조로의 전환이 요구되고 있다. 800V DC 전환을 위해서는 PSU·IBC·BBU 등 전력 체계 전반의 재설계가 요구되며, GaN·SST 같은 와이드밴드갭 기반 기술이 고효율·고밀도·고신뢰성을 실현하는 핵심으로 부상하고 있다. 특히 랙당 1MW 시대에는 전력·냉각·안전 요구가 급격히 높아지며, 시스템 전체를 하나의 전력 체인으로 보고 설계하는 접근이 필요할 것으로 이야기 되고 있다. 이에 데이터 센터 전력 제품의 전문가인 프라딥 셰노이(Pradeep Shenoy) 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI) 컴퓨팅 파워 기술 책임자와 만나 데이터센터 전력을 위한 제품 개발 및 관련 솔..
2026.05.21by 명세환 기자
로옴의 750V 내압 SiC MOSFET이 AI 서버 전원용 배터리 백업 유닛(BBU)에 채용됐다. 생성형 AI 확산으로 서버 전력 수요가 커지면서 데이터센터 전원 구조는 고전압 직류 기반으로 이동하고 있다. 이번 채택은 고전압·고전력 환경에서 전력 손실과 발열을 줄여야 하는 BBU에 SiC 전력반도체가 적용된 사례다. 로옴은 SiC, GaN, 실리콘 기반 파워 디바이스와 아날로그 IC를 결합한 전원 솔루션을 통해 AI 서버 및 데이터센터 시장 대응을 강화할 계획이다.
2026.05.18by 배종인 기자
ST마이크로일렉트로닉스가 에너지 효율형 가전 및 전자기기를 대상으로 한 100W급 고전압 컨버터 ‘VIPerGaN100W’와 ‘VIPerGaN100WB’를 출시하며, 질화갈륨(GaN) 기반 전력 변환 솔루션을 통해 컨슈머 전자제품의 효율 개선에 나선다. 전력 스위치와 제어 기능을 통합한 설계를 적용해 소형화와 에너지 절감을 동시에 겨냥했다.
2026.05.13by 명세환 기자
인피니언 테크놀로지스가 2300V급 SiC MOSFET을 적용한 XHP™ 2 전력 모듈을 출시하며 고전압 에너지 시스템 시장 대응에 나섰다. 해당 제품은 1500V DC 링크 전압을 지원하고, 스위칭 및 도통 손실을 줄여 효율과 전력 밀도를 동시에 개선하는 것이 특징이다. 풍력·태양광·배터리 저장 시스템 등 신재생에너지 분야를 중심으로 적용 가능성이 제시됐으며, 실제 테스트에서는 높은 전력 밀도와 낮은 손실 특성이 확인됐다.
2026.04.28by 배종인 기자
노영균 아이브이웍스 대표이사는 지난 24일 서울 FKI타워 컨퍼런스센터에서 열린 ‘고기능성 반도체 소재 기술세미나’에서 GaN 에피웨이퍼 기술 흐름과 함께 향후 반도체 시장의 변화를 전망했다. 차세대 반도체 소재로 주목받고 있는 질화갈륨(GaN, Gallium Nitride)은 스마트폰·노트북 고속 충전기, 서버용 전원공급장치, AI 데이터센터 전력 시스템 등에서 빠르게 확산되고 있다.
2026.02.26by 편집부
탄소중립으로 인해 태양광, 풍력, ESS가 확산되며, 재생에너지 시스템에서 전류 센서의 중요성이 높아지고 있는 가운데, 재생에너지 시스템에서 전류 센서의 핵심적 역할에 대해 김선민 MPS 기술지원 이사로부터 들어봤다.
2026.02.23by 배종인 기자
한국전기연구원(KERI) 절연재료연구센터 유승건 박사팀이 기존 절연 소재인 폴리프로필렌(polypropylene)의 구조적 한계를 극복하고, 고전압 환경에서도 안정적인 성능을 구현하는 기술을 선보였다.
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