e4ds news

ST, 전력 반도체 설계 간소화 디바이스 출시 GaN 소재 활용, 동작 주파수 높고 열 소산 줄여 최대 200W 애플리케이션 전원 설계에 적합해 ST마이크로일렉트로닉스는 14일, 최대 200W의 전력변환 애플리케이션 설계를 간소화하는 새로운 MasterGa..

2021.04.14by 이수민 기자

▲지역별 연간 반도체 장비 매출액 전 세계 712억불…전년比 19% ↑, 역대 최대 2020년 우리나라 반도체 장비 매출이 전년대비 61% 증가하며, 큰 폭으로 성장한 것으로 분석됐다. 글로벌 전자산업 ..

2021.04.14by 배종인 기자

▲미쓰이화학의 반도체 특수 수지 ICROS™ Tape 반도체용 특수 수지 대만 가오슝 공장 100억엔 투자 韓 수출 규제 및 美·中 분쟁 대응이면 선행투자 목적 미쓰이화학(三井化學)이 대만 가오슝 공장..

2021.04.09by 배종인 기자

에어리퀴드, 대만 반도체용 수소 5,000N㎥/h 생산시설 구축 韓 반도체용 수소 7,100N㎥/h 생산, EUV용 추가증설 기대 반도체용 수소가 첨단 EUV 공정에서 핵심소재로 급부상하며, EUV 공정을 도입한 첨단 반도체 기업들을 위한 수소 생산 시설..

2021.04.07by 배종인 기자

ACM, 자사 300mm 건식 공정 시스템에 도핑-비도핑-게이트 옥사이드 증착 및 고온 산화 및 어닐링 장비 신규 추가 최신 반도체 공정에 있어 웨이퍼 수율 유지를 위해 열 공정상의 온도 제어 균일성과 안정성에 대한 요구사항이 날이 갈수록 높아지고 있다. ..

2021.04.07by 이수민 기자

UNIST-美미네소타大, 원자층 증착법으로 초미세 반도체 전극 패턴 제작에 성공 고가의 빔 공정 필요 없어 제작 용이 반도체 칩 안에는 최대 수십억 개의 트랜지스터와 다이오드가 들어있다. 이러한 미세소자는 여러 층의 재료 속에 그려진 패턴 형태로 존재한다...

2021.03.24by 이수민 기자

국내 첫 12인치 반도체 테스트베드 공식 출범 40nm 패턴 웨이퍼 제작 가능한 인프라 구축 향후 20nm 웨이퍼 제작 및 부품 테스트 지원 반도체 생산용 소재와 부품은 지난 2019년 7월, 일본의 수출규제에 따라 우리나라에 소재·부품&mid..

2021.03.17by 이수민 기자

SiC, GaN 기반의 WBG 반도체, 채택 늘고 있어 5G, EV 이어 클라우드, AI 분야 수요 증가 추세 온세미, SiC 공정 개발 완료... SiC 기판 개발 중 기존 실리콘(Si) 소재 기반 반도체보다 높은 전압을 허용하고, 손실도 낮은, 실리콘..

2021.03.13by 이수민 기자

KERI, SiC 결함 분석 및 평가기술 개발 눈에 보이지 않는 SiC 결정 결함 조기 관찰 에타맥스와 장비 개발, 日장비 가격 절반 최근 전력반도체 소재로 실리콘(규소; Si)보다 내구성, 범용성, 효율성이 우수한 실리콘카바이드(탄화규소; SiC)가 주목..

2021.03.10by 이수민 기자

UNIST, 성균관대 연구진, 결정성 우수한 전이금속 칼코겐 화합물 합성 기술 개발 고체 및 액체 원료 함께 써서 품질 높여 실리콘(Si)을 대체할 차세대 반도체 소재의 상용화를 앞당기기 위해서 국내 연구진이 2차원 반도체 소재를 원자 수준으로 얇고 넓게,..

2021.03.08by 이수민 기자