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전력반도체

로옴, 650V 내압 IGBT 개발…전기차·산업용 인버터 고효율 설계 지원

2026.06.19by 배종인 기자

로옴이 전기차와 산업기기용 전력반도체 새로운 650V 내압 IGBT를 통해 손실 저감과 신뢰성 향상을 동시에 구현하고, 전동 컴프레서와 인버터 등 응용 분야 확대를 겨냥했다.
인텔 파운드리, 18A-P 공정 시험 생산 진입

2026.06.17by 배종인 기자

인텔 파운드리가 2026 VLSI 심포지엄에서 18A 대비 동일 전력에서 성능 9% 향상, 동일 성능에서 전력 18% 절감을 구현한 18A-P 공정의 시험 생산 진입을 발표했다. 듀얼 콘택트 트랜지스터 '파워 부스트'와 다섯 번째 로직 Vt 추가 등으로 성능을 끌어올렸으며 18A와 설계 규칙이 완전 호환된다. 인텔은 GAA와 후면 전력 공급 기술의 정량화 결과, 모놀리식 CFET 인버터, GaN·실리콘 로직의 300mm 웨이퍼 통합, 루테늄 배선 등 중장기 연구 성과도 함께 공개했다.
온세미, GaN 전력 제품군 'GaNEXUS' 출시

2026.06.11by 배종인 기자

온세미가 질화갈륨(GaN) 기반 전력 반도체 제품군 'GaNEXUS'를 출시하고 40V~650V FET와 스마트 650V GaN FET의 초기 샘플 공급을 시작했다. AI 데이터센터 전원, 48V 시스템, 로보틱스, 산업 자동화 등 고전력 애플리케이션을 겨냥하며, 실리콘 대비 빠른 스위칭과 낮은 손실, 높은 전력 밀도로 자기 부품·냉각 크기를 줄여 시스템 효율을 높이고 비용을 절감한다. 센싱·제어를 통합한 트레오 플랫폼과 결합해 시스템 수준의 전력 솔루션을 구현한다.
온세미, GaN 전력 제품군 ‘GaNEXUS’ 출시…AI 데이터센터 전력 효율 겨냥

2026.06.11by 명세환 기자

온세미가 질화갈륨(GaN) 기반 전력 제품군 ‘GaNEXUS’를 출시하고 AI 데이터센터와 산업 자동화 시장 공략을 강화한다. 새 제품군은 40V~650V 전압 범위의 GaN FET와 스마트 650V GaN FET로 구성되며, 빠른 스위칭 속도와 낮은 손실, 높은 전력 밀도, 열 성능 개선을 목표로 한다. 온세미는 트레오 플랫폼과의 연계를 통해 센싱·제어·보호·전력 관리를 통합한 시스템 수준 전력 솔루션을 제공할 계획이다.
로옴, 48V 전장 시스템 겨냥한 차량용 MOSFET 양산

2026.05.28by 명세환 기자

로옴이 차량용 48V 전원 시스템에 대응하는 80V 내압 MOSFET ‘AG16xFNxx 시리즈’를 개발하고 양산에 들어갔다. 이 제품은 HPLF5060과 DFN3333 패키지를 적용해 기존 TO-252 패키지 대비 크기를 줄였으며, 구리 클립 본딩 구조로 방열 성능을 높였다. 적용 분야는 메인 인버터 제어 회로, 전동 모터, 전동 워터펌프 등 48V 기반 차량 전장 시스템이다.
GaN 전력반도체, 고효율 전력 시스템 핵심 기술 부상

2026.05.27by 배종인 기자

전력반도체 시장에서 질화갈륨(GaN) 기술이 고효율·고속 스위칭 특성을 기반으로 다양한 산업으로 확산되고 있다. 디지털 전력 시스템과 AI 인프라 확대로 전력 효율 개선 요구가 커지는 가운데, 회로 설계 환경에서는 GaN 소자의 구조와 활용 방식에 대한 비교 분석도 이어지고 있다.
ST, 700V GaN 전력반도체 출시…AI 서버·로보틱스 전력 효율 겨냥

2026.05.27by 명세환 기자

ST마이크로일렉트로닉스가 AI 서버, 로보틱스, 산업용 전원공급장치, 스마트그리드 등에 적용할 수 있는 700V급 PowerGaN 전력반도체를 출시했다. 신규 제품군은 6A~29A 전류 정격과 53mΩ~270mΩ 수준의 RDS(on)을 제공하는 7종의 GaN HEMT로 구성됐다. ST는 낮은 전도 손실과 스위칭 손실, 고주파 동작 특성을 바탕으로 고전력 시스템의 전력 밀도 향상과 전원부 소형화를 지원한다는 계획이다.
인피니언, 양방향 GaN 스위치 확대…휴대기기 전원회로 소형화 겨냥

2026.05.26by 명세환 기자

인피니언이 휴대용 전자기기 전원 회로의 소형화를 겨냥해 CoolGaN BDS 40V G3 양방향 스위치 제품군을 확대했다. 신제품은 기존 백투백 실리콘 MOSFET 구성을 단일 부품으로 대체해 PCB 면적과 부품 수를 줄이는 데 초점을 맞췄다. 스마트폰, 노트북, 웨어러블 기기에서 고속충전과 멀티 전원 구조가 확산되면서 전력 제어 부품의 집적도와 효율이 주요 설계 과제로 떠오르고 있다.
로옴 SiC MOSFET, AI 서버 HVDC 전원용 BBU에 적용

2026.05.21by 명세환 기자

로옴의 750V 내압 SiC MOSFET이 AI 서버 전원용 배터리 백업 유닛(BBU)에 채용됐다. 생성형 AI 확산으로 서버 전력 수요가 커지면서 데이터센터 전원 구조는 고전압 직류 기반으로 이동하고 있다. 이번 채택은 고전압·고전력 환경에서 전력 손실과 발열을 줄여야 하는 BBU에 SiC 전력반도체가 적용된 사례다. 로옴은 SiC, GaN, 실리콘 기반 파워 디바이스와 아날로그 IC를 결합한 전원 솔루션을 통해 AI 서버 및 데이터센터 시장 대응을 강화할 계획이다.
“초저전력 전력반도체 SiC·GaN 주도”

2026.04.23by 배종인 기자

전력 공급 능력이 AI 혁신의 속도와 성패를 가늠하는 핵심 요소로 부상하고 있는 가운데 이론적 한계에 부딪힌 실리콘을 대신해 새로운 전력 반도체 소재로 급부상하고 있는 SiC, GaN이 주도하는 반도체 시장에 대해 살펴봤다.

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