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전력 반도체

ST, GaN 전력 IC ‘MasterGaN6’ 출시…충전기·조명·태양광 겨냥

2026.03.18by 배종인 기자

ST마이크로일렉트로닉스가 2세대 MasterGaN 하프 브리지 전력 IC ‘MasterGaN6’을 출시했다. 이 제품은 140mΩ의 RDS(on)을 지원하는 GaN 전력 트랜지스터와 업데이트된 BCD 드라이버를 하나의 패키지에 통합한 것이 특징이다. 스탠바이와 결함 표시를 위한 전용 핀, 보호 기능, 외부 부품 절감 설계를 바탕으로 충전기·어댑터, 산업용 조명 전원공급장치, 태양광 마이크로 인버터 등에서 활용할 수 있도록 설계됐다. ST는 평가 보드와 설계 지원 도구도 함께 제공해 제품 검토와 개발 편의성을 높인다는 계획이다.
[Special Report] 로봇 설계 ‘물리적 SOC’ 한계 넘다: 다보 조용규 전무가 밝히는 인피니언의 로보틱스 시스템 철학

2026.03.12by 명세환 기자

다보(DABO)의 조용규 전무는 인피니언 테크놀로지스와 함께하는 로보틱스 웨비나를 통해, 개별 부품이 아닌 시스템 관점의 설계 철학을 강조했습니다. 조 전무는 "휴머노이드는 수십 개의 관절 모터를 동시에 제어해야 하므로 시스템 레벨의 접근이 필수적"이라고 진단했습니다.핵심 솔루션인 P4C3 MCU는 초소형 사이즈로 각 관절에 탑재되어 고속 연산과 정밀 제어를 수행하며 , 차세대 전력 반도체인 CoolGaN™은 기존 실리콘 MOSFET 대비 손실을 최대 60%까지 낮춥니다. 이를 통해 모터 드라이버 크기를 40% 축소하고 방열판을 제거하여 로봇의 무게와 부피를 획기적으로 줄일 수 있습니다.조 전무는 인피니언의 SOC(System on Chip) 개념을 "단일 칩이 아닌, 최적의 반도체군을 유기적으로 엮어낸 설..
인피니언, GaN 시장 2030년 30억 달러 전망…AI·로보틱스 적용 확대

2026.02.12by 명세환 기자

인피니언 테크놀로지스가 연례 보고서 ‘GaN 인사이트 2026’을 통해 GaN(갈륨 나이트라이드) 전력 반도체 시장이 2030년 약 30억 달러 규모로 성장할 수 있다고 제시했다. 보고서는 2026년 시장 규모를 9억2000만 달러로 추산하며, 2025년(5억8400만 달러) 대비 58% 성장할 것으로 전망했다. 인피니언은 고전압 GaN 양방향 스위치(BDS)에 더블 게이트 구조의 공통 드레인 설계를 적용해, 기존 백투백 구성 대비 다이 크기 축소가 가능하다고 설명했다. 또한 GaN 적용 분야가 AI 데이터센터, 로보틱스, 전기차, 신재생에너지와 디지털 헬스·양자컴퓨팅 등으로 확장되고 있다고 밝혔다.
MPS, “고전류·저전압 FPGA·ASIC 전원 설계, 다상 컨버터 해법 급부상”

2026.02.06by 명세환 기자

고전류 환경을 위한 다상 컨버터 설계 방안에 대해 토마스 허드슨(Tomas Hudson) MPS 수석 제품 마케팅 엔지니어에게 들어 봤다.
인피니언 아담 화이트 사장, “AI를 움직이는 힘 ‘전력반도체’ 인피니언이 책임진다”

2026.02.04by 배종인 기자

인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies) 전력·센서 시스템 부문 사장 아담 화이트(Adam White)와의 인터뷰를 통해 인피니언의 전력반도체 전략과 더불어 로보틱스, 양자컴퓨팅으로 확장되는 향후 성장 기회를 살펴봤다.
‘GaN’, 미래 전력 기술 핵심 축 자리매김…인피니언 중전압 GaN 양방향 스위치·300㎜ 파워 GaN 기술 전력 전자 패러다임 변화 이끌어

2026.01.05by 명세환 기자

인피니언(Infineon Technologies AG)의 중전압 GaN 양방향 스위치(CoolGaN™ BDS 40V G3)와 300㎜ 파워 GaN 기술이 업계에서 ‘게임체인저’로 평가받으며 차세대 전력 시스템의 핵심 축으로 부상하고 있는 것으로 나타났다.
“휴머노이드 로봇, 인류의 다음 도약”…인피니언, 핵심 솔루션 제시

2025.11.27by 명세환 기자

휴머노이드 로봇이 제조업, 의료, 서비스 산업 등 다양한 분야에서 활용될 잠재력을 지니고 있는 가운데 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies AG)가 고효율 전력 반도체, 지능형 MCU, 첨단 센서, 안정적인 배터리 관리 시스템 등 핵심 솔루션을 제시하며, 로봇이 단순한 기계가 아니라 인간과 협력하는 동반자로 자리매김 할 수 있도록 돕고 있다. 이를 위해 인피니언은 OptiMOS™와 StrongIRFET™ 파워 MOSFET을 비롯한 다양한 전력 반도체 솔루션 및 AI 가속기를 내장한 MCU, 3D Time-of-Flight(ToF) 센서, RADAR 및 압력 센서 등을 제공한다.
AI 데이터센터 전력 시스템 48V 급부상

2025.10.14by 배종인 기자

마우저 일렉트로닉스(Mouser electronics)가 최근 발표한 ‘Optimizing Efficiency as Data Centers Shift to 48V Power’에 따르면 48V 아키텍처와 폴리머 커패시터를 중심으로 한 고효율 전력 관리 솔루션이 데이터센터의 안정성과 수익성을 동시에 확보하는 핵심 기술로 자리잡고 있는 것으로 나타났다.
TI, AI 데이터센터 전력 수요 충족…차세대 확장형 전력 관리 솔루션 공개

2025.10.14by 배종인 기자

텍사스 인스트루먼트(TI)가 미국 새너제이에서 열린 오픈 컴퓨트 서밋(OCP)에서 AI 데이터센터를 위한 새로운 전력 관리 솔루션을 발표했다. 이번 발표는 AI 연산 수요 증가에 대응해 12V부터 48V, 800VDC까지 확장 가능한 전력 아키텍처를 구현하는 데 초점을 맞췄다.
[2025 e4ds Tech Day]“GaN 반도체 후발주자지만 기술적 한계 극복하며 빠르게 발전”

2025.09.30by 배종인 기자

한국전자통신연구원(ETRI) 이형석 책임연구원은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘GaN 와이드 밴드갭 전력반도체 기술 개발 현황 및 시장 동향’에 대해 발표하며, GaN 전력 반도체의 개발 현황과 향후 전망을 심도 있게 소개했다. 이형석 연구원은 “GaN은 후발주자지만 기술적 한계를 극복하며 빠르게 발전하고 있다”며 “리모트 에피 등 차세대 기술을 통해 전력 반도체의 새로운 지평을 열 수 있을 것”이라고 전망했다.

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