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온세미, EliteSiC M3e MOSFET 출시...전기화 전환 위한 SiC 혁신 나선다

최신 EliteSiC M3e MOSFET, 에너지 효율 대폭 향상...턴오프 손실 최대 50% 감소 지능형 전력 제품 포트폴리오·EliteSiC M3e 결합...최적화된 시스템 솔루션 제공 온세미가 2030년까지 다양한 차세대 S..

2024.07.23by 성유창 기자

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인피니언, 고성능 시스템 위한 차세대 CoolSiC™ MOSFET G2 출시

前 세대 比 MOSFET 주요 성능 최대 20% 개선·품질 및 신뢰성은 유지 전기차 DC 급속 충전기에 사용 시 전 세대 比 전력 손실 최대 10% 감소   인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 이전 세대 대비 저장 에너지와 ..

2024.03.11by 성유창 기자

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“자동차 전장화 가속, MOSFET 수요 증가”

▲‘MOSFET의 선정 및 사용 방법’ 웨비나 중 ROHM, e4ds 웨비나서 MOSFET 기초·특성·주의점 공유 ROHM DFN·웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 시리즈 소개   ROH..

2024.02.14by 성유창 기자

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ST, 車 애플리케이션 지원 듀얼-인라인 SiC 전력 모듈 출시

높은 전력 밀도·컴팩트한 설계·어셈블리 간소화 등 이점 4팩·6팩·토템폴 구성 제공…유연한 구성 선택 가능 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 자동차 애플리케이션을 지원하며 최첨단 2..

2023.10.31by 성유창 기자

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ST, ASIL-D 등급 지원 통합 핫스왑·아이디얼-다이오드 컨트롤러 출시

아이디얼-다이오드 컨트롤러, 자율주행·ADAS서 중단 없이 전원공급 핫스왑 컨트롤러, 외부 N-채널 MOSFET… 핫스왑 이벤트 중 부하 보호   ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 ASIL-D 등급까지 자동차 기능 ..

2023.07.27by 성유창 기자

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인피니언, TO263-7 패키지 적용한 차량용 1200V CoolSiC™ 트렌치 MOSFET 출시

1세대 比 스위칭 손실 25% ↓…시스템 크기 ↑·전력밀도 ↑ VGS = 0V서 안정적 턴오프 달성…시스템 비용·복잡성 ↓   인피니언 테크놀로지스(이하 인피..

2023.06.26by 성유창 기자

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[웨비나리뷰]인피니언, “BMS MOSFET 병렬 사용시 VGS(th) 주의 必”

▲김용진 인피니언 이사 애플리케이션 따른 BMS 구성 차이 설명 MOSFET 병렬 사용 시 중요 파라미터 소개   인피니언이 빠르게 성장하는 배터리 구동 애플리케이션 시장에서 배터리의 충전 및 방전을 모니터링하고 조절하는 전자 제어 회로인 배..

2023.05.12by 성유창 기자

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[인터뷰]김용진 인피니언 이사-“보호용 MOSFET, 충·방전 이상동작시 배터리 보호”

“보호용 MOSFET, 충·방전 이상동작시 배터리 보호” 전류 따른 손실 발생시 온도 상승, 낮은 온저항값 MOSFET 사용해야 보호용 MOSFET, 병렬 사용시 전류 밸런싱 유지 가능한 파라미터 必   [편집자..

2023.03.20by 성유창 기자

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인피니언, 150V OptiMOS™ 소스-다운 전력 MOSFET 출시

고성능 DC-DC 전력 변환 위한 솔루션 제공 서버·텔레콤·배터리 보호 애플리케이션 적합   인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)이 소스-다운 전력 MOSFET으로 다양한 애플리케이션의 시스템 혁신을 가능케 한다. ..

2023.01.18by 성유창 기자

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ST, STPOWER 자동차 등급 디바이스 출시

기존 TO-스타일 패키지 比 전력밀도 향상·조립 용이 전기차 OBC·DC/DC 컨버터·산업용 전력 변환 적합   ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 냉각기 지원하는 표면실장 ACEPACK SMIT 패키지 ..

2023.01.11by 성유창 기자

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