2026.03.18by 배종인 기자
ST마이크로일렉트로닉스가 2세대 MasterGaN 하프 브리지 전력 IC ‘MasterGaN6’을 출시했다. 이 제품은 140mΩ의 RDS(on)을 지원하는 GaN 전력 트랜지스터와 업데이트된 BCD 드라이버를 하나의 패키지에 통합한 것이 특징이다. 스탠바이와 결함 표시를 위한 전용 핀, 보호 기능, 외부 부품 절감 설계를 바탕으로 충전기·어댑터, 산업용 조명 전원공급장치, 태양광 마이크로 인버터 등에서 활용할 수 있도록 설계됐다. ST는 평가 보드와 설계 지원 도구도 함께 제공해 제품 검토와 개발 편의성을 높인다는 계획이다.
2026.03.10by 배종인 기자
휴머노이드 로봇 설계의 핵심은 인간과 유사한 외형보다 정밀한 내부 시스템에 있다. 최근 발표한 텍사스인스트루먼트(TI, Texas Instruments)의 기술 자료는 고자유도 모터 제어, GaN 기반 전력 소자를 활용한 고효율·소형화 설계, 고해상도 전류·전압 센싱을 통한 정밀 제어의 중요성을 강조한다. 여기에 기능 안전을 고려한 이중화 구조와 고속 차단 설계가 더해져야 인간과 같은 공간에서 신뢰할 수 있는 로봇이 완성된다.
2026.02.26by 배종인 기자
재생에너지와 에너지 저장 시스템(ESS) 시장이 빠르게 성장하면서, 전력 변환 효율과 시스템 소형화를 동시에 만족시키는 반도체 기술에 대한 요구가 높아지고 있다. 이러한 흐름 속에서 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)가 선보인 CoolGaN™ BDS 650V G5는 차세대 전력 전자 설계의 방향성을 제시하는 핵심 솔루션으로 주목받고 있다.
2026.02.12by 명세환 기자
인피니언 테크놀로지스가 연례 보고서 ‘GaN 인사이트 2026’을 통해 GaN(갈륨 나이트라이드) 전력 반도체 시장이 2030년 약 30억 달러 규모로 성장할 수 있다고 제시했다. 보고서는 2026년 시장 규모를 9억2000만 달러로 추산하며, 2025년(5억8400만 달러) 대비 58% 성장할 것으로 전망했다. 인피니언은 고전압 GaN 양방향 스위치(BDS)에 더블 게이트 구조의 공통 드레인 설계를 적용해, 기존 백투백 구성 대비 다이 크기 축소가 가능하다고 설명했다. 또한 GaN 적용 분야가 AI 데이터센터, 로보틱스, 전기차, 신재생에너지와 디지털 헬스·양자컴퓨팅 등으로 확장되고 있다고 밝혔다.
2026.02.09by 명세환 기자
텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI)가 기자간담회를 열고 산업 자동화 및 로보틱스 총괄 지오반니 캄파넬라(Giovanni Campanella)가 직접 방한해 로보틱스 기술 변화와 이에 대응하는 TI의 제품·정책 방향을 공개했다. 캄파넬라 총괄은 로보틱스 시장을 차세대 핵심 성장 분야로 규정하고, 반도체 단품을 넘어 ‘시스템 레벨’ 솔루션 전략을 본격화하겠다고 밝혔다.
2026.01.05by 명세환 기자
인피니언(Infineon Technologies AG)의 중전압 GaN 양방향 스위치(CoolGaN™ BDS 40V G3)와 300㎜ 파워 GaN 기술이 업계에서 ‘게임체인저’로 평가받으며 차세대 전력 시스템의 핵심 축으로 부상하고 있는 것으로 나타났다.
2025.12.22by 배종인 기자
지능형 전력 및 센싱 기술 기업 온세미(onsemi)가 글로벌파운드리(GlobalFoundries)와 200㎜ eMode GaN-on-Si 공정을 기반으로 고성능 GaN(질화갈륨, 갈륨나이트라이드) 전력 제품을 공동 개발·제조하며, AI 데이터센터와 전기차(EV), 재생에너지, 항공우주 등 고성장 시장의 전력 수요 증가에 대응한다.
2025.12.05by 배종인 기자
지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업 온세미가 이노사이언스(Innoscience)와 전략적 MOU를 체결하고, 질화갈륨(GaN) 전력 디바이스 글로벌 제조 역량 강화에 나선다.
2025.11.04by 배종인 기자
세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 USB-PD 충전기, 고속 배터리 충전기, 보조 전원공급장치 등 다양한 애플리케이션을 겨냥한 통합 GaN 플라이백 컨버터 시리즈를 공개하며, 설계 단순화, 무소음 동작, 고효율 전력 관리라는 세 가지 핵심 가치를 만족시켰다.
2025.10.27by 배종인 기자
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, ST)가 산업 및 통신용 전력 변환 애플리케이션에 최적화된 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 신제품 STDRIVEG210과 STDRIVEG211을 출시하며, 저전압 GaN 설계를 간소화하고, 고성능 전력 시스템 개발을 지원하는 데 본격 나섰다.
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