2025.10.16by 배종인 기자
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표 이승수)가 AEC-Q101 인증을 획득한 자동차 등급의 100V GaN(질화갈륨) 트랜지스터 제품군을 출시했다. 이번에 양산을 시작한 ‘CoolGaN™ 100V G1’ 제품군은 고전압(HV) 트랜지스터와 양방향 스위치를 포함하며, 전기차 및 소프트웨어 정의 차량(SDV)의 핵심 전력 솔루션으로 주목받고 있다.
2025.10.13by 배종인 기자
세계적인 나노전자 및 디지털 기술 연구기관 Imec이 GaN(갈륨나이트라이드, 질화갈륨)의 300㎜ 웨이퍼 전환을 통해 첨단 전력 전자 소자 개발 및 제조 비용 절감에 본격 나선다. 이번 프로그램은 저전압부터 고전압까지 다양한 전력 전자 애플리케이션을 지원하며, 웨이퍼 직경을 기존 200㎜에서 300㎜로 확장함으로써 제조 효율성과 비용 절감을 동시에 실현할 수 있을 것으로 기대된다.
2025.09.30by 배종인 기자
한국전자통신연구원(ETRI) 이형석 책임연구원은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘GaN 와이드 밴드갭 전력반도체 기술 개발 현황 및 시장 동향’에 대해 발표하며, GaN 전력 반도체의 개발 현황과 향후 전망을 심도 있게 소개했다. 이형석 연구원은 “GaN은 후발주자지만 기술적 한계를 극복하며 빠르게 발전하고 있다”며 “리모트 에피 등 차세대 기술을 통해 전력 반도체의 새로운 지평을 열 수 있을 것”이라고 전망했다.
2025.09.29by 배종인 기자
텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI) 김승목 차장은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘TI GaN FET으로 전력 밀도가 높고 효율적인 디지털 파워 시스템 구현하기’라는 주제로 발표하며, 전기차, 재생에너지, 고효율 전원장치 등 차세대 산업의 핵심은 전력 반도체라고 강조했다. 김승목 차장은 먼저 전력 반도체의 진화를 짚으며, “20년 전까지만 해도 IGBT가 주류였지만, SiC가 등장하면서 1,200V 이상 고전압 시스템에 적용되기 시작했다. 그러나 스위칭 주파수 측면에서는 한계가 있었다. 반면에 GaN은 600∼650V급 전압에서 12㎒까지 스위칭이 가능해 전력 밀도를 획기적으로 높일 수 있다”고 언급했다.
2025.08.28by 배종인 기자
차량용 전력 시스템이 빠르게 진화하면서 저전압에서 실리콘(Si) 반도체와 고전압 영역에서 실리콘 카바이드(SiC) 기반의 반도체가 활용되던 지금까지의 추세에서 벗어나 새롭게 GaN(Gallium Nitride) 솔루션이 차세대 차량용 전력반도체로 주목받고 있다. GaN은 200∼500V 전원계에서 최적의 효율을 제공하며, 50W부터 25kW까지 폭넓은 전력 스케일링을 가능하게 해 전력밀도와 함께 시스템 소형화를 동시에 실현할 수 있다. 최근에는 200V 이하의 저전압 시스템에서도 GaN 적용이 확대되고 있어 설계 요구에 따라 최적의 디바이스 선택이 가능해졌다. 이런 가운데 차량용 GaN 전력반도체와 관련해 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments)가 오는 9월9일 ‘2025 e4ds Tech Da..
2025.07.03by 배종인 기자
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 300㎜ 웨이퍼 기반 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 반도체 생산을 본격 가동하며 올해 4분기에 고객들에게 첫 샘플을 제공할 예정이다. 인피니언은 이번 300mm GaN 생산 가속화로 기술 혁신과 시장 선도에 적극 나서겠다는 방침이다.
2025.06.09by 명세환 기자
키사이트테크놀로지스는 전압 마진이 좁아지고 WBG 소자의 고속 스위칭 특성이 강조되며, 정밀한 파워레일 및 전류 측정의 중요성이 커졌다고 밝혔다. 이호중 대리는 “이제는 파워 측정도 고해상도·저노이즈가 필수”라며, 전용 파워레일 프로브와 분석 소프트웨어의 필요성을 강조했다.
SiC·GaN 기반 WBG 반도체의 도입으로 기존 정적 테스트는 한계에 직면했다. NI는 실제 주행 조건을 모사하는 ‘다이나믹 HTFB’ 테스트 시스템을 세계 최초로 상용화해, 테스트 시간은 줄이고 신뢰성은 높였다. 전기차 시대에 맞는 새로운 테스트 기준이 필요한 지금, NI의 솔루션이 주목받고 있다.
2025.05.29by 명세환 기자
실리콘 기반 전력 반도체의 물리적 한계가 도래한 지금, 산업계는 더 빠르고 작으며 효율적인 대안을 모색하고 있다. 인피니언의 CoolGaN™ 기술은 이러한 요구에 대응하는 핵심 솔루션으로, 다보코퍼레이션 조용규 전무는 “이제는 실리콘을 넘어서는 시점”이라며 설계 전략과 실제 적용 노하우를 전한다.
2025.05.19by 배종인 기자
세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 최신 STDRIVEG610과 STDRIVEG611 고전압 GaN(Gallium Nitride) 하프 브리지 드라이버를 출시하며, 컨슈머 및 산업 애플리케이션의 전력 변환 및 모션 제어를 최적화 했다.
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