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1단계 20억유로·2단계 50억유로 투자, 200㎜ SiC 주력·GaN 에피택시 포함 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)가 말레이시아 쿨림에 세계 최대 SiC(실리콘카바이드)..

2024.08.08by 배종인 기자

▲인피니언의 CoolGaN™ 트랜지스터 700V G4 제품군 엔비디아 데이터센터용 서버 모듈에 GaN 부품 탑재 서버용 메모리 고성능화 추세 전력반도체 GaN 대세 글로벌 반도체 기업인 인피니언 테크놀로지스(Infineon ..

2024.08.08by 배종인 기자

CoolGaN™ 700V 전력 트랜지스터, 최고의 가성비 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 시중의 다른 GaN(갈륨나이트라이드, 질화갈륨) 제품 대비 입력 및 출력 FoM(figures-of-merit)이 20..

2024.07.01by 배종인 기자

▲2023 SiC 파워 디바이스 매출 글로벌 시장 점유율 / (이미지 : 트렌드포스) 글로벌 5대 제조사, SiC서 90% 이상 차지 中·글로벌 SiC 확장책 일관, 공급과잉 우려 中-메이저 간 기술격차 축소, 8인치 협업 必 전력반도체 ..

2024.06.25by 권신혁 기자

TI 650V IPM GaN 기술 통합…가전·HVAC 시스템서 99% 이상 인버터 효율 구현 외부 방열판 불필요…경쟁사 IPM 솔루션 比 PCB 사이즈 최대 55% 축소 가능 텍사스 인스트루먼트(..

2024.06.13by 성유창 기자

말레이시아·오스트리아 공장서 고성능 8인치 인하우스 파운드리 공정으로 제조 650V·중전압 두 가지 제품군 출시…40V ~ 700V에 이르는 GaN 디바이스에 특화 향후 5년간 46%의 연평균 성장률(Yole Gr..

2024.06.04by 성유창 기자

150㎚ GaN 설계 키트 공개·칩 제작 서비스 시행 차세대 반도체 기술 방산·6G·위성 등 자립화 기대 국내 연구진이 처음으로 150나노 질화갈륨(GaN) 반도체 기술 국산화를 위한 파운드리 시..

2024.04.05by 배종인 기자

前 세대 比 MOSFET 주요 성능 최대 20% 개선·품질 및 신뢰성은 유지 전기차 DC 급속 충전기에 사용 시 전 세대 比 전력 손실 최대 10% 감소 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 이전 세대 대비 저장 에너지와 ..

2024.03.11by 성유창 기자

▲Ezgi Dogmus Yole 그룹 애널리스트가 발표하고 있다 2022년 430억불 규모 車 반도체, 2028년 840억3,000만불 성장 전망 2028년 100억불 xEV 파워 반도체 디바이스, SiC MOSFET 56억불 차지 GaN, 파워..

2024.02.01by 성유창 기자

▲차세대 통합 갈륨 나이트라이드(GaN) 브리지 디바이스 MasterGaN1L·MasterGaN4L 출시(이미지:ST) 차세대 통합 GaN 브리지 디바이스 제품군 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 S..

2024.01.15by 권신혁 기자