최신 GaN 하프 브리지 드라이버 출시 세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 최신 GaN(Gallium Nitride) 하프 브리지 드라이버를 출시하며, 컨슈머 및 산업 애플리케..
2025.05.19by 배종인 기자
글로벌 HVAC 시장, WBG로 효율 장벽을 넘는다 원션트 제어 한계를 깨는 iMOTION™, 소음 저감 새 해법 제시 전 세계적으로 에너지 절감 압력이 커지는 가운데, 가장 주목받는 산업 분야 중 하나가 바로 HVAC(냉난방) ..
2025.05.09by 명세환 기자
추진 시스템·태양광 패널 입력 전력 변환 적합 텍사스 인스트루먼트(TI)가 22V에서 200V까지의 폭넓은 전압대와 다양한 방사선 내성 수준을 지원하는 우주 등급의 200V GaN FET 게이트 드라이버를 출시하며, 모든 ..
2025.02.25by 배종인 기자
EV 캐즘 현상 확대, SiC 제조사 평가 절하 재생에너지·ESS·AI향 순환 시장 개척 기대 美 울프스피드 위기, 8인치 SiC 시장 단 ‘2%’ 전기차 수요 저하와 선제적인 화합물 반도체 ..
2025.02.10by 권신혁 기자
로옴 GaN 디바이스·TSMC GaN-on-Silicon 프로세스 융합 로옴(ROHM) 주식회사와 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited(TSMC)가 오토모티브용 GaN ..
2024.12.12by 배종인 기자
GaN 기반 X-대역 고출력 송수신 모듈의 FEM 핵심부품 개발 웨이비스가 국방기술진흥연구소에서 주관하는 총 64억원 규모의 ‘차세대 방공무기체계 레이더용 X-대역 FEM (프론트엔드 모듈) 연구개발 과제’ 수행업체로 선정됐다..
2024.11.05by 권신혁 기자
▲한국-스웨덴 전력반도체 포럼 / (사진:스웨덴무역투자대표부) 한자연·SK 실트론·레보텍 연구소 등 혁신 사례 발표 현대 사회의 지능화에 따른 전력 수요와 효율적인 에너지 솔루션에 대한 글로벌 수요가 지속적으로 증가..
2024.11.04by 권신혁 기자
“고용량 파워 애플리케이션, ‘WBG 디바이스 적용 필수’” EV 충전 개발 챌린지, 신뢰성·안정성·친환경 확보 必 高효율 전력 변환 회로 설계, 방열 설계 노력·비용↓..
2024.10.31by 권신혁 기자
▲웨이비스 GaN RF 소자 및 모듈 제품들이 전시된 모습 웨이비스 순손실 실적, 높은 고정비 원인 국내 유일 GaN RF 팹 보유, 국방 매출 高 단일 고객·지정학 위험 有...기술 개발 매진 국내 유일 GaN RF 반도체..
2024.08.23by 권신혁 기자
시스템 성능 크게 향상·시스템 비용 최소화 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)의 650V CoolGaN™ 트랜지스터가 DCDC 컨버터에서 최고의 전력 밀도 성능을 보이며, 시스템 성능을 크게 향상시키고, ..
2024.08.19by 배종인 기자
(주)채널5코리아 | 서울 금천구 디지털로 178 가산퍼블릭 A동 1824호 | 사업자등록번호 : 113-86-36448 | 대표자 : 명세환
청소년보호책임자 : 장은성 | 발행인, 편집인 : 명세환 | 전화 : 02-866-9957
등록번호 : 서울특별시 아 01366 | 등록일 : 2010년 10월 40일 | 제보메일 : news@e4ds.com
본 콘텐츠의 저작권은 e4ds뉴스 또는 제공처에 있으며 이를 무단 이용하는 경우 저작권법 등에 따라 법적책임을 질 수 있습니다.
Copyright © 2025 e4ds News. All Rights Reserved