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인피니언 TLI493D-W2BW 3D 자기 센서 WLB-5 패키지, 대기 상태 전류 소모량 7nA 높이가 낮아 센서 위에 추가 부품 탑재 가능해 인피니언 테크놀로지스가 29일, 기존 제품 대비 높이를 낮춘 센시브(XENSIV) 3D 자기 센서를 출시했다. ..

2020.07.29by 이수민 기자

62mm 산업 표준 패키지 SiC MOSFET 모듈 스위칭 손실과 전도 손실 낮아 소형화 수월 인피니언 테크놀로지스는 16일, CoolSiC MOSFET 1200V 모듈 제품군에 62mm 산업 표준 패키지를 추가한다고 밝혔다. ▲ 1200V CoolSi..

2020.07.16by 명세환 기자

TLE956x 모터 시스템 IC, 올 4분기 양산 최대 4개 하프 브리지 드라이버 포함 CAN-FD 및 LIN 트랜시버 제공 파워 리프트 게이트, 선루프, 전동 시트, 연료 펌프 등 점점 더 많은 전기 모터가 자동차에 사용되며 안전성과 편의성을 높이고 있다..

2020.07.13by 명세환 기자

플래너 대신 트렌치 MOSFET 구조 채택한 8mΩ/150A 정격 1200V 하프 브리지 모듈 전기차 구동부에 실리콘 카바이드(SiC)를 사용하면 전력 효율·밀도·성능을 높일 수 있다. 특히 배터리 용량이 늘어날수록 SiC 소자가 인..

2020.07.07by 강정규 기자

세계 각국 정부, 정책적으로 전기차 보급 나서 자동차 OEM, AEC-Q101 준수하는 반도체 요구 엔지니어, MOSFET 데이터 시트 이해력 필요해 전 세계 주요 국가 정부들이 전기차 보급에 박차를 가하고 있다. 유럽연합(EU)은 올해부터 자동차 제..

2020.07.13by 이수민 기자

H2S, 고온에서 동작하는 IGBT에 단락 일으켜 인피니언 H2S 보호 기술, 모듈에 H2S 차단 ISA 71.04 가혹 수준에서 20년 동작 보장 전자 부품이 황화수소(H2S)에 노출되면 수명이 줄어든다. 인피니언은 2일, 고무, 석유화학, 제지, ..

2020.07.03by 명세환 기자

실리콘 카바이드, 실리콘보다 고전압에서 동작 SiC MOSFET, 고전압에서 고속 스위칭 가능 인피니언 SiC MOSFET, 타사 대비 문턱전압 높아 전력 소비가 늘어나며 소형의 고효율 인버터에 대한 수요가 점차 증가하고 있다. 이에 따라 인버터를 설계하는..

2020.06.29by 이수민 기자

인피니언 TLE9012AQU 센싱 및 밸런싱 IC 모듈당 12개 셀로 분할된 배터리에 적합 배터리 관리 시스템은 배터리의 성능을 높이고 수명을 늘리는 데 중요한 역할을 담당한다. 인피니언 테크놀로지스는 26일, 전기차 등의 배터리 관리 시스템(BMS)을..

2020.06.26by 명세환 기자

인피니언, 자바 기반 SECORA ID S 공개 칩과 운영체제, CC EAL 6+ 등급 획득 코일온모듈 칩 패키징, 솔더링 취약점 제거 인피니언 테크놀로지스가 23일, 비접촉 디지털 ID 용으로 통합이 수월한 보안 플랫폼 ‘SECORA ID S&..

2020.06.24by 이수민 기자

3상 변환 시스템 보조 전원에 적합 DC 링크 연결 보조 회로에도 싱글 엔디드 플라이백 토폴로지 가능 인피니언 테크놀로지스가 16일, CoolSiC MOSFET 1700V 제품을 출시했다. ▲ CoolSiC MOSFET 1700V [이미지=인피니언] ..

2020.06.17by 강정규 기자