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▲한국전기연구원 전력반도체연구센터 (왼쪽부터)나문경, 문정현, 방욱, 강인호, 김형우 박사 칩 크기 줄이는 기술, 공급부족 해소 기여 원천기술 예스파워테크닉스 20억 기술이전 SiC(Silicon Carbide, 탄화규소) 전력반도..

2021.04.21by 배종인 기자

ST ISOSD61 및 ISOSD61L 시그마델타 변조기 16bit 분해능의 ADC, 86dB의 SNR 공통 제공 소형 션트 저항으로 디스크리트 전류 센서 대체 ST마이크로일렉트로닉스는 1일, 갈바닉 절연의 ‘ISOSD61, ISOSD..

2021.04.01by 강정규 기자

다양한 전력 애플리케이션과 토폴로지에서의 SiC FET 및 쇼트키 다이오드 성능 평가 등록 없이 사용 가능, 조언도 제공 유나이티드SiC는 18일, FET제트 칼큘레이터(FET-Jet Calculator™)를 출시했다. 사용자는 다양한 전력 애플..

2021.03.19by 강정규 기자

SiC, GaN 기반의 WBG 반도체, 채택 늘고 있어 5G, EV 이어 클라우드, AI 분야 수요 증가 추세 온세미, SiC 공정 개발 완료... SiC 기판 개발 중 기존 실리콘(Si) 소재 기반 반도체보다 높은 전압을 허용하고, 손실도 낮은, 실리콘..

2021.03.13by 이수민 기자

KERI, SiC 결함 분석 및 평가기술 개발 눈에 보이지 않는 SiC 결정 결함 조기 관찰 에타맥스와 장비 개발, 日장비 가격 절반 최근 전력반도체 소재로 실리콘(규소; Si)보다 내구성, 범용성, 효율성이 우수한 실리콘카바이드(탄화규소; SiC)가 주목..

2021.03.10by 이수민 기자

온세미, 650V SiC MOSFET 제품군 공개 자동차 신뢰성 표준인 'AEC-Q101' 준수 박형 웨이퍼 기반 활성 셀 설계법 채택 온세미컨덕터는 18일, 새로운 650V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군을 공개했다. 기존 실리..

2021.02.19by 강정규 기자

650V CoolSiC 하이브리드 IGBT 디스크리트, 인피니언 650V TRENCHSTOP 5 IGBT 및 유니폴라 구조 쇼트키 배리어 CoolSiC 결합 인피니언 테크놀로지스는 17일, 650V CoolSiC™ 하이브리드 IGBT 디스크리트 ..

2021.02.18by 강정규 기자

유나이티드SiC 750V 지원 4세대 SiC FET 4종, 하드 스위칭 시 턴 온/오프 손실 저감하고 소프트 스위칭 시 낮은 전도 손실 제공 유나이티드SiC는 8일, 4세대 실리콘카바이드(SiC) FET 기술 플랫폼을 기반으로 하는 750V SiC FET ..

2021.02.12by 강정규 기자

로옴, SiC 전력 소자 생산하는 자사 공장에 재생 가능 에너지 사용률 100% 건물 준공 독일 웨이퍼 공장도 '22년 친환경 공정 도입 로옴은 7일, SiC 전력 소자의 생산력 강화를 위해 2019년 2월부터 일본 후쿠오카 로옴 아폴로 ..

2021.01.08by 이수민 기자

'40년 차량용 반도체 시장규모, '20년의 4배 자동차 트렌드 앞서려면 적응형 솔루션 필요 자일링스, ISO 26262, ASIL B/D 제품 지원 차량용 반도체 시장이 빠르게 성장하고 있다. 시장조사업체 스태티스타..

2020.12.09by 이수민 기자