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로옴, 솔루션 회로 검증 웹 시뮬레이션 툴 공개

2020.02.28by 이수민 기자

로옴이 SiC 전력 디바이스 및 구동·전원 IC 등을 솔루션 회로상에서 일괄적으로 검증할 수 있는 웹 시뮬레이션 툴인 로옴 솔루션 시뮬레이터를 개발했다. 이 시뮬레이터는 멘토 지멘스 비즈니스의 시스템비전 클라우드를 기반으로 개발됐다. SVC 계정을 보유한 이용자는 로옴 솔루션 시뮬레이터로 실행한 시뮬레이션 데이터를 자신의 SVC 환경에 반영해서 검증할 수 있다.
코르보, 국방·항공우주용 QPA3069 전력 증폭기 공급

2020.01.23by 이수민 기자

마우저 일렉트로닉스가 코르보의 QPA3069 전력 증폭기를 공급한다. 국방·항공우주 애플리케이션에 사용할 수 있도록 설계된 100W QPA3069는 2.7~3.5GHz RF 기반 회로를 설계할 때 고출력 밀도 및 전력부가 효율을 제공한다. 코르보의 0.25μm 갈륨나이트라이드온실리콘카바이드(GaN-on-SiC) 공정에서 생산되며, 패키지는 7.0 × 7.0 × 0.85mm으로 소형이다.
로옴 그룹 사이크리스털, ST에 SiC 웨이퍼 공급

2020.01.16by 이수민 기자

로옴 그룹 사이크리스털은 ST에 수년간 SiC 웨이퍼를 공급하기로 합의했다. 유럽 내 SiC 웨이퍼 생산량 점유율 1위인 사이크리스털은 앞으로 ST에 1억 2천만 달러 이상의 150mm SiC 웨이퍼를 공급한다.
맥심, 절연 게이트 드라이버 MAX22701E 출시

2019.12.19by 이수민 기자

많은 스위치 모드 전원장치 애플리케이션은 전력 효율성 및 트랜지스터 안정성 개선을 위해 와이드밴드갭 SiC 트랜지스터를 채택한다. 높은 스위칭 주파수는 잡음을 발생하는 과도현상을 유발하기 때문에 이를 완화해야 작동이 중단되는 문제를 방지할 수 있다. MAX22701E 드라이버 IC는 고출력·고효율성 전원장치를 위한 산업용 통신 시스템 내 스위치 모드 전원장치에 사용된다.
ST, 노스텔 AB 인수 완료… SiC 웨이퍼 생산력 강화

2019.12.09by 이수민 기자

ST마이크로일렉트로닉스가 스웨덴의 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조업체인 노스텔 AB의 인수 작업을 완료했다. 노스텔은 ST의 글로벌 R&D 및 제조설비에 완전히 통합된다. 150mm 베어 및 에피택셜 SiC 웨이퍼 생산과 200mm 생산은 물론, 와이드밴드갭 소재 R&D 사업도 계속 진행될 예정이다.
바이코, 2년마다 "전력밀도 25% UP, 전력손실 25% DOWN" 전원 솔루션 출시한다

2019.10.21by 이수민 기자

갈수록 처리해야 할 데이터의 크기가 커지면서 들어가는 전력도 늘어나고 있다. 고성능 전원 시스템을 구축해야 하는 이유다. 바이코는 기로에 선 전력 반도체를 주제로 기자간담회를 열고 자사의 사업 전략과 비전을 발표했다. 정기천 한국지사 대표는 바이코를 전력 배전망의 변환 및 조절에 전문성을 갖추고서 고성능 고밀도의 전력 모듈을 제작하고 있으며, 전력 분배 아키텍처, 변환 토폴로지 및 패키징 기술에 강점을 갖고 있다고 소개했다.
ST, 르노-닛산-미쓰비시에 SiC 전력 디바이스 공급한다

2019.09.20by 이수민 기자

ST마이크로일렉트로닉스의 SiC 전력 전자 디바이스가 르노-닛산-미쓰비시가 출시할 예정인 전기차의 OBC에 채택됐다. 르노-닛산-미쓰비시는 ST의 SiC 전력 기술을 활용하여 효율적이고 컴팩트한 고전력 OBC를 구현함으로써, EV의 배터리 충전시간을 단축하고 주행거리를 개선할 계획이다. ST는 표준 실리콘 디바이스를 비롯한 관련 부품들도 르노-닛산-미쓰비시에 공급한다. ST의 SiC가 탑재된 OBC는 2021년 양산에 돌입할 예정이다.
로옴, TO-247-4L 패키지 채택한 SiC MOSFET 출시

2019.09.19by 이수민 기자

로옴이 고효율이 요구되는 서버용 전원 및 태양광 인버터, 전동차의 충전 스테이션 등에 적합한 트렌치 게이트 구조의 650/1200V 내압 SiC MOSFET인 SCT3xxx xR 시리즈 6종을 출시했다. SCT3xxx xR 시리즈는 TO-247-4L 패키지를 채용했다. 기존 TO-247N 패키지는 소스 단자가 지닌 인덕턴스 성분으로 인해 게이트 전압이 저하되어, 스위칭 속도가 지연됐다. 반면 TO-247-4L은 파워 소스 단자와 드라이버 소스 단자를 분리할 수 있어 인덕턴스 성분으로 인한 영향을 억제할 수 있다. 특히 턴온 시 손실이 개선됐다. 턴온 손실과 턴오프( 손실을 통틀어, 기존 제품 대비 약 35％의 손실 저감이 가능하다.
Arm 기반 SoC 개발, 라이선스 없이도 일단 가능해져

2019.07.22by 이수민 기자

Arm 기반 SoC 설계 시 IP 라이선스를 구입하지 않고도 프로젝트를 시작할 수 있는 길이 열린다. Arm은 새로운 계약 모델인 플렉서블 액세스를 선보이며 기존 및 신규 파트너들이 반도체 설계를 위해 Arm 기술에 접근하고 라이선스할 수 있는 방법을 더욱 확장했다. 플렉서블 액세스를 활용하면 SoC 설계팀은 IP 라이선스를 구입하지 않은 상태에서 프로젝트를 시작할 수 있으며, 추후 실제 생산시점에서 사용되는 IP에 대한 비용만 지불하면 된다. 기업들은 플렉서블 액세스를 통해 설계팀이 보다 자유롭게 실험·평가·혁신할 수 있도록 지원할 수 있다.
마이크로칩, 고전압 파워 제품 개발 위한 SiC 제품 출시

2019.05.20by 이수민 기자

마이크로칩 테크놀로지는 자회사인 마이크로세미를 통해 검증된 견고성과 와이드 밴드갭 기술의 성능을 제공하는 SiC 파워 디바이스 제품군을 출시했다. 이번 SiC 디바이스는 마이크로칩의 폭넓은 MCU와 아날로그 솔루션과 더불어 시장에서 빠르게 성장하는 전기차 및 다른 고전력 애플리케이션에 요구되는 신뢰성 높은 SiC 제품군의 일부로 개발되었다. 마이크로칩의 기존 SiC 전력 모듈 포트폴리오에 새롭게 추가된 제품은 700V SiC MOSFET과 700V/1200V SBD다. 새 제품들은 더 높은 주파수에서 더 효율적인 스위칭이 가능하고, 장기적인 신뢰성 보장을 위해 필수적인 수준에서의 견고성 테스트를 통과한다.

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