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SiC MOSFET·다이오드, 최대 2.16% 효율 향상 SiC, 4kW 공조장치서 시스템·전력 사용 비용 ↓ 전세계적으로 요구되는 에너지 효율 표준이 계속해서 기준이 높아지는 가운데 실리콘카바이드(이하 ..

2022.12.02by 성유창 기자

FinFET→Lateral GAA→Vertical GAA 발전 반도체 기술이 발전을 거듭할수록 성능을 향상시키기 위한 경쟁이 치열해지고 있다. 한정된 면적인 실리콘 기판 위에 빼곡히 트랜지스터를 집적하기 위해 최근 공정 미세화 추세는 3나노미터에..

2022.10.17by 권신혁 기자

▲박영준 텍트로닉스 이사 핸드헬드서부터 고전압에 이르는 계측 포트폴리오 多 PCIe·와이드 밴드 갭 등 최신 트렌드 오실로스코프 선 [편집자주] 와이드 밴드 갭(WBG) 특성을 가진 반도체 소자들이 차세대 기술로 각광 받으..

2022.10.13by 권신혁 기자

▲온세미 파워 웨비나 시리즈 (이미지-온세미) 10월 27일부터 2주간 매주 목요일 라이브 전원 공급 장치 설계 분야 인사이트 제공 온세미가 오는 27일부터 2주간 전원 공급 장치 설계 분야 엔지니어들을 위해 파워 웨비나(Power Web..

2022.10.12by 권신혁 기자

▲반도체대전 2022 로옴 부스 나노 시리즈·LSI 솔루션 등 다채로운 포트폴리오 과시 5일 서울 삼성동 코엑스에서 제24회 반도체대전(SEDEX 2022)이 개최했다. 한국반도체산업협회가 주관하는 이번 전시회는 반도체 및 관련 분야의 미..

2022.10.07by 권신혁 기자

▲온세미가 체코 소재 실리콘 카바이드(SiC) 공장 확장을 기념하며 세레머니를 진행하는 모습 (사진-온세미) 온세미, 2024년 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼 생산 능력 최대 16배 확대 실리콘 카바이드(SiC)는 전기차(EV), 전기차 ..

2022.09.23by 권신혁 기자

▲와이드밴드갭 소자 적용 애플리케이션 (캡처 - e4ds EEWebinar, 자료 - 텍트로닉스) 텍트로닉스, WBG소자 파라미터 측정 솔루션 공유 다양한 애플리케이션에서 와이드밴드갭(Wide Bandgap ,WBG) 반도체가 채택되는 추세..

2022.09.06by 권신혁 기자

▲온세미 미국 뉴햄프셔주의 SiC 생산 시설 확장 기념 행사. 이날 지나 레이몬드(Gina Raimondo) 미국 상무장관이 참석해 미국 반도체 제조의 중요성을 피력했다. (사진 - 온세미) 온세미 SiC boule 생산능력 5배 증가 기..

2022.08.16by 권신혁 기자

SiC MOSFET·게이트 드라이버 솔루션 제공 다보코퍼레이션이 인피니언의 신규 SiC MOSFET 제품과 파워인테그레이션스의 게이트 드라이버 제품군을 소개하는 자리를 가졌다. 다보코퍼레이션은 7월5일부터 7일까지 경주 한화리조트에서 개최된 전력..

2022.07.15by 권신혁 기자

”독자적 인덕션 히팅(IH) 공정 기술로 신뢰성 확보” TRENCHSTOP™ 5 리버스 컨덕팅 (reverse conducting) IGBT 인피니언 SOI 기술 기반 레벨 시프트 게이트 드라이버 IC ..

2022.05.23by 김예지 기자