텍사스 인스트루먼트(TI)가 엔비디아와 협력해 차세대 AI 데이터센터용 800VDC 전력 아키텍처를 공개했다. 이번 구조는 800V 직류 전력을 6V, 다시 1V 미만으로 낮추는 2단 변환 방식으로 설계돼 전력 손실과 배전 복잡도를 줄이는 데 초점을 맞췄다. TI는 핫스왑 컨트롤러, 800V-6V 절연 버스 컨버터, GPU용 다상 벅 컨버터, 30kW급 전원공급장치 등 관련 설계도 함께 제시했다. AI 서버의 전력 수요가 급증하는 상황에서 이번 발표는 데이터센터 전력 구조가 기존 저전압 중심 설계에서 고전압 DC 기반으로 이동하고 있음을 보여주는 사례로 해석된다.
AI와 전기차 확산으로 전력 수요가 급증하면서, 제한된 공간에서 더 많은 전력을 안정적으로 공급하는 기술이 산업 전반의 핵심 과제로 떠오르고 있는 가운데 텍사스 인스트루먼트(TI, Texas Instruments)가 이러한 요구에 대응해 독자적인 패키징 기술을 적용한 UCC34141-Q1과 UCC33420 고성능 절연 전원 모듈을 공개하며 전력 설계의 새로운 방향을 제시했다.
AI 데이터센터 투자 확대와 고대역폭메모리(HBM) 수요 증가로 글로벌 반도체 시장이 빠르게 성장하는 가운데, 차세대 반도체 소재와 패키징 기술을 조망하는 전문 세미나가 열린다. 화학경제연구원이 오는 4월24일 서울 여의도 한국경제인협회 FKI타워에서 ‘고기능성 반도체 소재 기술 세미나’를 개최한다. 세미나 참가 신청은 화학경제연구원 공식 홈페이지를 통해 선착순으로 접수 중이며, 얼리버드 할인은 3월27일까지, 사전 등록은 4월22일까지 가능하다.
ST마이크로일렉트로닉스(ST)가 인공지능(AI) 인프라 확산에 대응하기 위해 업계 선도 수준의 실리콘 포토닉스 플랫폼 ‘PIC100’의 대량 생산에 착수했다. 글로벌 주요 하이퍼스케일러들이 데이터센터와 AI 클러스터용 광 인터커넥트로 채택한 이 플랫폼은 300㎜ 웨이퍼 공정을 기반으로 한다.
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, ST)는 웨이퍼부터 완제품까지 수직 통합 공급망으로 품질과 수급을 확보하고, Gen3 SiC MOSFET의 낮은 RDS(on)으로 소형화·고효율을 실현한다. 게이트 드라이버·MCU·레퍼런스 디자인 등 시스템 레벨 솔루션과 검증된 신뢰성으로 고객 리스크를 줄이며, EV에서는 트랙션 인버터, 데이터센터에서는 연속 운전과 고전력밀도가 핵심이다. 이런 가운데 ST는 4월16일 웨비나를 통해 ST의 SiC 제품을 소개할 예정이다. 이에 발표를 담당한 정지윤 ST 매니저를 만나 ST의 SiC 제품과 기술력에 대해 들어봤다.
탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)은 더 높은 전압과 온도, 더 빠른 스위칭을 가능하게 해 전기차, AI 데이터센터, 산업용 전원, 재생에너지 설비의 효율을 끌어올리는 핵심 소자로 주목받고 있는 가운데 개발자들이 GaN, SiC 반도체를 사용할 때 실무에서 어떤 것들을 체크해야 하는지에 대해 인피니언, TI, ST 등 주요 전력 반도체 회사들의 자료와 전문가들의 조언을 통해 알아봤다.
전력반도체가 전기차, AI 데이터센터, 재생에너지 장비처럼 전기를 많이 쓰는 제품의 성능을 좌우하는 핵심 부품으로 주목 받으며, 전력반도체를 이용하는 개발자들이 전력반도체 수명 예측과 이를 검증할 수 있는 기술에 대한 요구가 증가하고 있다. 이에 개발자가 꼭 알아야 할 핵심 포인트를 짚어봤다.
노영균 아이브이웍스 대표이사는 지난 24일 서울 FKI타워 컨퍼런스센터에서 열린 ‘고기능성 반도체 소재 기술세미나’에서 GaN 에피웨이퍼 기술 흐름과 함께 향후 반도체 시장의 변화를 전망했다. 차세대 반도체 소재로 주목받고 있는 질화갈륨(GaN, Gallium Nitride)은 스마트폰·노트북 고속 충전기, 서버용 전원공급장치, AI 데이터센터 전력 시스템 등에서 빠르게 확산되고 있다.