TI 코리아 (대표이사 켄트 전, Kent Chon, www.ti.com/ww/kr) 2013년 11월 11일 – TI(대표이사 켄트 전)는 스마트폰이나 태블릿과 같이 공간 제약적인 핸드헬드 애플리케이션을 위해 낮은 온(ON) 저항을 제공하는 업계 최소형 MOSFET을 출시한다고 밝혔다. 새로운 FemtoFET™ MOSFET 트랜지스터 제품군은 초소형 패키징 크기에 100m 미만의 온 저항을 특징으로 한다. (보다 자세한 제품 정보 및 샘플 주문, SPICE 모델에 관한 내용은 www.ti.com/femtofet-pr-kr 참조)
LGA(land grid array) 패키지로 제공되는 이들 3종 N채널 및 3종 P채널 FemtoFET MOSFET은 CSP(chip scale packaging) 대비 최대 40%까지 보드 공간을 줄일 수 있다. CSD17381F4와 CSD25481F4는 시중 유사 제품보다 약 70% 낮은 100m 미만의 온 저항을 제공한다. TI의 모든 FemtoFET MOSFET 제품은 4,000V HBM(human body model) 이상의 ESD(electrostatic discharge) 보호 성능을 제공한다. (관련 비디오 시청)
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부품 번호 |
채널 |
BVdss (V) |
Vgs (V) |
일반 Rdson(mohm) |
Id @ Ta = 25°C(A) | ||
|
1.8V |
2.5V |
4.5V | |||||
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N |
30 |
12 |
160 |
110 |
90 |
3.1 | |
|
N |
30 |
12 |
370 |
240 |
200 |
1.5 | |
|
N |
12 |
8 |
310 |
170 |
140 |
2.1 | |
|
P |
-20 |
-12 |
395 |
145 |
90 |
-2.5 | |
|
P |
-20 |
-12 |
580 |
338 |
210 |
-1.6 | |
|
P |
-12 |
-8 |
480 |
250 |
150 |
-2.3 | |
이들 FemtoFET MOSFET 제품군은 휴대 전화와 같은 휴대형 애플리케이션을 위해 TI의 NexFET 전원 MOSFET 포트폴리오에 새롭게 추가된 것으로, 이 포트폴리오에 속한 대표적인 디바이스로는 CSD25213W10 P채널 및 CSD13303W1015 N채널 등이 있다. TI는 LP5907 고전류 LDO(low-dropout) 선형 전압 레귤레이터와 TPS65090 프론트 엔드 전원 관리 유닛(PMU)을 비롯하여, 핸드헬드 애플리케이션의 보드 공간을 절약하고, 전력 소모를 낮추기 위해 설계된 포괄적인 전원 관리 제품을 제공하고 있다.
