유연한 로우 사이드 게이트 드라이버 제품으로 높은 효율과 전력밀도 달성
TI 코리아 (대표이사 켄트 전, www.ti.com/ww/kr) 2012년 2월 9일 – TI는 고밀도 전력 컨버터의 MOSFET 및 GaN(Gallium-Nitride) 전력 FET(field-effect transistor)에 이용할 수 있는 로우 사이드 게이트 드라이버를 출시하였다. 이 새로운 LM5114는 동기식 정류기나 역률(power factor) 컨버터 같은 로우 사이드 애플리케이션에서 GaN FET와 MOSFET을 구동할 수 있다. 2011년에 출시된 업계 최초의 100V 하프브리지 GaN FET 드라이버 LM5113을 포함하는 이 제품군은 고성능 통신, 네트워킹, 데이터 센터 애플리케이션에 사용되는 고전력 GaN FET 및 MOSFET을 위한 완전한 절연 DC/DC 변환 드라이버 솔루션을 제공한다. (이 제품에 대한 샘플, 평가 보드 및 보다 자세한 정보는 www.ti.com/gan-pr 참조)
LM5114는 5V 공급 전압으로 독립적인 싱크 및 소스 출력을 이용하여 표준 MOSFET 및 GaN FET 모두를 구동할 수 있다. 이 디바이스는 대형 또는 병렬 FET를 이용하는 고전력 애플리케이션에 필요한 높은 7.6A 피크 턴-오프(Turn-off) 전류 용량을 특징으로 한다. 또한 풀 다운 강도가 높아짐으로써 GaN FET를 적절하게 구동할 수 있게 되었다. 독립적인 소스 및 싱크 출력을 제공함으로써 드라이버 경로상에 다이오드가 필요 하지 않으며 상승 및 하강시간을 엄격하게 제어할 수 있다.
TI는 2월 6~8일, 미국 플로리다주 올랜도에서 개최된 APEC(Applied Power Electronics Conference and Expo)에서 새로운 마이크로 SMD 패키지의 LM5114와 LM5113을 포함하는 FET 드라이버 제품군과 핀호환 제품으로써 3월에 출시할 예정인 UCC27511 로우 사이드 게이트 드라이버, 그밖에 GaN FET 기술의 모든 장점을 최대한 활용할 수 있도록 하는 기타제품들을 선보였다. APEC은 관련 업계 주요 전시회 중 하나로, 전력 반도체 전문가들이 참여했다.
LM5114 로우 사이드 게이트 드라이버의 주요 기능과 장점
• 독립적인 소스 및 싱크 출력으로 최적화된 상승 및 하강시간이 가능하여 고효율 달성
• +4V~+12V 단일 전원 공급 장치로 다양한 유형의 애플리케이션 지원
• 0.23 오픈 드레인(Open-Drain), 풀 다운(Pull-Down), 싱크 출력이 의도하지 않은 턴-온 방지
• 7.6A/1.3A 피크 싱크/소스 드라이버 전류가 시간 변화량에 대한 전압 변화량(DV/DT) 내성 극대화
• 반전 및 비-반전 입력 사이의 지연시간 매칭으로 데드타임(Dead Time) 손실 절감
• 12ns 정격 전달지연으로 높은 스위칭 주파수를 가능하게 하면서 향상된 효율 유지
• VCC에 상관없이 최대 14V 로직 입력 가능
• -40C~+125C의 동작온도 범위
