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3.3x3.3mm2 Power Clip 비대칭 듀얼 MOSFET 디바이스 – 우수한 전력 밀도 및 효율 달성

기사입력2012.05.10 16:53

고밀도 임베디드 DC-DC 전원장치로 더욱 더 많은 기능을 제공하기 위해 전력 요구량이 높아짐에 따라서 전원장치 엔지니어들은 더 적은 보드 공간으로 더 높은 전력 밀도와 효율을 달성해야 하는 과제에 직면해 있다. 페어차일드 반도체(NYSE: FCS)는 디자이너들이 이와 같은 과제를 달성할 수 있도록 FDPC8011S라고 하는 25V 3.3x3.3mm2 로우프로파일 듀얼 Power Clip 비대칭 N-채널 모듈 제품을 내놓았다.
높은 스위칭 주파수로 동작할 수 있도록 설계된 FDPC8011S는 완전 클립 패키지로 1.4m SyncFET와 5.4m 제어 N-채널 MOSFET을 통합함으로써 동기 벅 애플리케이션에 이용했을 때 커패시터 수와 인덕터 크기를 줄일 수 있도록 한다. 이 디바이스의 하단 면은 간편하게 탑재 및 배선을 가능하게 하므로 보드 레이아웃을 간소화하고 최적의 열 성능을 달성할 수 있다. FDPC8011S는 25A 이상의 출력 전류를 공급할 수 있으므로 기존의 3.3x3.3mm2 듀얼 MOSFET 제품에 비해서 출력 전류 용량을 2배로 향상시켰다.
이 디바이스 제품에 관한 더욱 더 자세한 내용이나 샘플 주문 정보는 http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDPC8011S.html에서 볼 수 있다.

제품의 특징과 이점:

• 제어 N-채널 MOSFET, VGS = 4.5V일 때 정격 RDS(ON) = 5.4m (7.3m Max)
• 동기 N-채널 MOSFET, VGS = 4.5V일 때 정격 RDS(ON) = 1.4m (2.1m Max)
• 인덕턴스가 낮은 패키징 기술을 이용해서 상승/하강 시간을 단축함으로써 스위칭 손실 감소
• 듀얼 MOSFET을 통합함으로써 레이아웃을 간소화하고 회로 인덕턴스 및 스위치 노드 링잉 감소
• RoHS 규정 준수
이 3.3x3.3mm2 Power Clip 비대칭 듀얼 MOSFET 제품과 더불어서 페어차일드 반도체는 포괄적인 유형의 첨단 MOSFET 디바이스 제품을 제공하므로 전원장치 디자이너들을 위해서 고효율 정보 프로세싱 디자인에 이용할 수 있는 다양한 유형의 솔루션을 제공한다.
Fairchild Semiconductor: Solutions for Your Success™.
가격: 1천 개 수량일 때 개당 1.60달러

공급:  현재 샘플 주문 가능

납기: 수주 후 8~12주