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마우저, 소형화 전자 설계 트렌드 분석
2025.09.29by 배종인 기자
글로벌 전자부품 유통기업 마우저 일렉트로닉스(Mouser Electronics)가 아나로그디바이스(Analog Devices, ADI) 및 몰렉스(Molex)와 협력해 최신 소형화 전자 설계 동향을 분석한 전자책 ‘소형화되는 전자 설계 및 애플리케이션에 대한 전문가 11인의 분석’을 발간하며, 소형화 설계에 직면한 엔지니어들에게 실질적인 인사이트와 제품 선택의 기준을 제공했다.
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AI로 치매 전 단계 ‘경도인지장애’ 85% 정확도 선별
2025.09.29by 배종인 기자
한국전기연구원(KERI) 청각인지뇌기능진단연구팀 박영진 박사 연구팀이 웨어러블 기기와 AI 발화·뇌파 분석 기술을 활용해 노년층을 대상으로 한 실증에 성공하고, 국내외 특허 출원까지 완료했다.
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[2025 e4ds Tech Day]“전력 반도체 미래 ‘GaN’, 48V 전원계 차량 충분히 상용화”
2025.09.29by 배종인 기자
텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI) 김승목 차장은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘TI GaN FET으로 전력 밀도가 높고 효율적인 디지털 파워 시스템 구현하기’라는 주제로 발표하며, 전기차, 재생에너지, 고효율 전원장치 등 차세대 산업의 핵심은 전력 반도체라고 강조했다. 김승목 차장은 먼저 전력 반도체의 진화를 짚으며, “20년 전까지만 해도 IGBT가 주류였지만, SiC가 등장하면서 1,200V 이상 고전압 시스템에 적용되기 시작했다. 그러나 스위칭 주파수 측면에서는 한계가 있었다. 반면에 GaN은 600∼650V급 전압에서 12㎒까지 스위칭이 가능해 전력 밀도를 획기적으로 높일 수 있다”고 언급했다.
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정부 전산망 마비는 곧 사회 마비…“국가 IT 인프라 재점검 시급”
2025.09.29by 배종인 기자
국가정보자원관리원 화재로 인해 대정부 IT 서비스가 전면 중단되며, 디지털·AI 사회에서 정부 전산망 마비는 곧 사회 마비라는 점을 재확인했다. 특히 백업·보안 시스템이 있었음에도 불구하고, 작동하지 않은 점에서 국가 IT 인프라에 대한 재점검이 시급하다는 목소리가 높아지고 있다.
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머크, 카이 베크만 차기 CEO 선임…2026년 5월부터 공식 취임
2025.09.29by 배종인 기자
글로벌 과학기술 기업 머크(Merck)가 2026년 5월1일부로 카이 베크만(Kai Beckmann) 일렉트로닉스 사업부 CEO를 경영이사회 회장 겸 최고경영책임자(CEO)로 선임한다.
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라즈베리파이 RP235x, 보안·디스플레이·고속 IO로 ‘프로덕션급 MCU’ 선언
2025.09.29by 명세환 기자
라즈베리파이 RP235x는 듀얼코어 구조(코텍스 M33·RISC-V 선택)와 트러스트존, SHA-256, OTP 등 보안 기능을 내장해 IoT와 양산 제품에 적합한 차세대 MCU다. 최대 520KB SRAM, 16MB 외부 메모리 확장, 12개 PIO, HSTX 고속 직렬 인터페이스를 지원하며, 소형 디스플레이·비표준 프로토콜에도 대응한다. VS Code 기반 개발환경과 Pico 2/W 보드, Debug Probe를 통해 프로토타입부터 양산까지 원활한 생태계를 제공한다.
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NI, FPGA 기반 sHIL로 EV 전력변환 제어기 검증 패러다임 바꾼다
2025.09.29by 명세환 기자
NI는 전기차 인버터·OBC·DC-DC·ICCU 등 복잡해지는 전력변환 제어기의 검증을 위해 FPGA 기반 Signal-level HIL(sHIL) 전략을 제시했다. ECU만 실제로 두고 전력회로·모터를 FPGA로 가상화해 초기부터 안전·정밀 검증이 가능하다. 정재형 차장은 “FPGA 기반 sHIL은 EV 제어기 검증의 새로운 표준”이라며, ACEWORKS와의 협력으로 턴키 솔루션을 제공하고, dSPACE·OPAL-RT 등 경쟁사 대비 자동차 친화적 성능과 플랫폼 확장성을 갖췄다고 강조했다.
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[2025 e4ds Tech Day]“2034년까지 SiC 수십배 성장, 공급망 안정화·국내 양산 인프라 등 대응 必”
2025.09.26by 배종인 기자
한국전기연구원(KERI) 차세대반도체연구센터 김형우 센터장은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘SiC 기반 전력반도체의 국내외 기술 및 시장 동향’을 주제로 발표했다. 김형우 센터장에 따르면 실리콘 카바이드(SiC)는 와이드 밴드갭과 우수한 열전도성으로 고전압·고온·고신뢰성 전력전자 분야의 핵심 소재로 자리잡고 있다.
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[2025 e4ds Tech Day]“AI 시대 전력 혁신, 전력 변환 단계마다 효율 높여 전체 손실 감소 시급”
2025.09.26by 배종인 기자
인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies) 김용진 상무는 지난 9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘AI 데이터 센터의 에너지 효율적인 전력 관리 솔루션을 위한 인피니언의 차세대 전력 반도체’를 주제로 발표하며, “AI 시대 전력 혁신을 위해서는 전력 변환 구조 단계마다 효율을 높여 전체 손실을 줄이는 것이 급선무”라고 밝혔다. 이를 위해 실리콘카바이드(SiC)와 갈륨나이트라이드(GaN) 같은 와이드밴드갭 소자를 핵심으로 내세웠다.
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