• 슈나이더, 리퀴드쿨링 시장 본격 진출

    2025.09.30by 배종인 기자

    글로벌 에너지 관리 및 자동화 전문기업 슈나이더 일렉트릭(한국지사 대표 권지웅)이 데이터센터 쿨링 시장을 본격 겨냥한 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 AI 워크로드에 최적화된 리퀴드쿨링(Liquid Cooling) 솔루션 공급을 통해 차세대 AI 데이터 센터 시장 확대에 나선다.

  • 존슨콘트롤즈, 포춘 ‘2025 세상을 바꾸는 혁신기업’ 선정

    2025.09.30by 배종인 기자

    스마트하고 지속가능한 빌딩 솔루션을 제공하는 글로벌 리더 존슨콘트롤즈인터내셔널이 미국 경제 전문지 포춘(Fortune)이 발표한 ‘2025 세상을 바꾸는 기업(Change the World)’ 명단에 선정되며, 데이터센터 냉각 기술로 지속가능한 미래를 선도한 공로를 인정받았다.

  • ams OSRAM, 프로젝션 애플리케이션 올인원 공급사 도약

    2025.09.30by 배종인 기자

    글로벌 광전자 솔루션 기업 ams OSRAM(한국 대표 강석원)이 고출력 멀티-다이 레이저 패키지 ‘Vegalas™ Power’ 시리즈의 첫 제품 출시를 통해 프로젝션에 필요한 핵심 광전자 부품을 모두 공급하며, 글로벌 프로젝션 시장 판도 변화에 본격 나선다.

  • NI·누비콤, 한양대에 5억 상당 SW·기술 지원 제공

    2025.09.30by 배종인 기자

    NI(내쇼날인스트루먼트)와 누비콤(사장 신동만)이 한양대학교에 5억원 상당의 소프트웨어와 전문기술 지원을 제공하며, 차세대 기술 확보와 산업 현장 중심의 산학연 협력에 본격 나선다.

  • ST, UWB 기술 확산·디지털 키 사업 가속화

    2025.09.29by 배종인 기자

    글로벌 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 초광대역(UWB, Ultra-Wideband) 기술 발전을 주도하는 FiRa® 컨소시엄 이사회에 합류하며, 자동차 디지털 키 및 스마트 커넥티비티 시장에서의 영향력을 강화한다.

  • NI, 서울대에 AI 기반 LabVIEW™ 45억 상당 기증

    2025.09.29by 배종인 기자

    글로벌 측정·자동화 솔루션 기업 NI(National Instruments)가 서울대학교에 45억원 상당의 AI 기반 소프트웨어를 기증하는 등 서울대학교 재학생 및 교직원의 디지털 전환과 스마트 연구 환경 조성을 위해 적극 나섰다.

  • 마우저, 소형화 전자 설계 트렌드 분석

    2025.09.29by 배종인 기자

    글로벌 전자부품 유통기업 마우저 일렉트로닉스(Mouser Electronics)가 아나로그디바이스(Analog Devices, ADI) 및 몰렉스(Molex)와 협력해 최신 소형화 전자 설계 동향을 분석한 전자책 ‘소형화되는 전자 설계 및 애플리케이션에 대한 전문가 11인의 분석’을 발간하며, 소형화 설계에 직면한 엔지니어들에게 실질적인 인사이트와 제품 선택의 기준을 제공했다.

  • AI로 치매 전 단계 ‘경도인지장애’ 85% 정확도 선별

    2025.09.29by 배종인 기자

    한국전기연구원(KERI) 청각인지뇌기능진단연구팀 박영진 박사 연구팀이 웨어러블 기기와 AI 발화·뇌파 분석 기술을 활용해 노년층을 대상으로 한 실증에 성공하고, 국내외 특허 출원까지 완료했다.

  • [2025 e4ds Tech Day]“전력 반도체 미래 ‘GaN’, 48V 전원계 차량 충분히 상용화”

    2025.09.29by 배종인 기자

    텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI) 김승목 차장은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘TI GaN FET으로 전력 밀도가 높고 효율적인 디지털 파워 시스템 구현하기’라는 주제로 발표하며, 전기차, 재생에너지, 고효율 전원장치 등 차세대 산업의 핵심은 전력 반도체라고 강조했다. 김승목 차장은 먼저 전력 반도체의 진화를 짚으며, “20년 전까지만 해도 IGBT가 주류였지만, SiC가 등장하면서 1,200V 이상 고전압 시스템에 적용되기 시작했다. 그러나 스위칭 주파수 측면에서는 한계가 있었다. 반면에 GaN은 600∼650V급 전압에서 12㎒까지 스위칭이 가능해 전력 밀도를 획기적으로 높일 수 있다”고 언급했다.

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