텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI)는 20일 웨스틴 서울 파르나스에서 ‘TI Embedded Labs 2025’를 개최했다. 이날 ‘안전이 중요한 차량 내부 애플리케이션에서 레이더와 센서 퓨전 결합하기’라는 주제로 발표한 박선일 차장은 차량 내부에 탑재되는 인케빈(In-Cabin) 레이더 기술은 단순히 운전 보조를 넘어, 차량 내부의 승객을 감지하고 보호하는 데까지 영역을 확장하며 새로운 안전 패러다임을 제시하고 있다고 밝혔다.
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더 작고 기능이 많은 전자 제품을 개발하는 추세는 임베디드 시스템 개발자들에게 기능이 풍부하고, 크기가 작은 MCU와 임베디드 프로세서를 요구하고 있다. 반도체 업체들은 이러한 요구에 부응하기 위해 프로세서의 성능을 저하시키지 않으면서도 초소형이면서도 여러 가지 기능을 포함하고 있는 제품을 만들기 위해 노력하고 있다. 이에 본지는 최근 텍사스인스트루먼트(Texas Instruments, TI) Alex Grudzinski가 발표한 ‘작지만 강력한 성능: MCU를 위한 작은 크기의 패키징과 통합이 공간이 제한된 설계를 최적화하는 방법’이라는 기술 문서를 통해 패키징과 아날로그 부품의 통합이 임베디드 프로세서의 성능을 저하시키지 않으면서 크기를 줄이는 데 어떻게 도움이 되는지, 그리고 최적화된 패키징이 제조 공정에 미치는 영향이 무엇인지 살펴봤다.
오늘날 자동차 산업은 단순한 이동 수단을 넘어 첨단 기술의 집합체로 진화하고 있다. 특히 ADAS(첨단 운전자 보조 시스템) 기능의 확산은 자율주행 시대를 향한 본격적인 전환점으로 작용하고 있으며, 그 중심에는 반도체 기술이 있다. 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI)에 따르면 반도체는 차량의 감지, 처리, 통신 및 전력 관리를 가능하게 하는 핵심 요소로, 현재 차량 한 대에 1,000∼3,500개가 탑재될 정도로 중요성이 커지고 있다.
마우저 일렉트로닉스(Mouser Electronics)가 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI)와 자율이동로봇(AMR)에 대한 전문가 분석을 담은 새로운 전자책을 발간했다. 이 책은 물류창고와 제조 현장, 산업 자동화까지 다양한 분야를 혁신하고 있는 AMR 기술의 현재와 미래를 조망하며, 업계 전문가 13인의 통찰력을 바탕으로 구성됐다.
텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI)가 Dynamic Z-Track™ 알고리즘이 적용된 단일 칩 배터리 연료 게이지 ‘BQ41Z90’ 및 ‘BQ41Z50’ 출시를 공식 발표했다. 이들 제품은 충전 상태(SOC)와 성능 상태(SOH)를 1% 이내의 오차로 정확히 측정할 수 있는 고정밀 예측형 모델링 알고리즘을 내장하고 있으며, 배터리 작동 시간을 최대 30%까지 연장하는 효과를 제공한다.
저전압 모듈식 시스템 확산됨에 따라, 서로 다른 접지·전압 도메인 간 통신 오류가 발생할 가능성이 높아진 가운데 텍사스인스트루먼트(Texas I㎱truments, TI)는 최근 ‘Technical Article’을 통해 ‘±80V 접지 레벨 트랜스레이터’에 대해 소개했다. 이 제품은 전압 레벨 1.71V∼5.5V의 저전압 시스템 간 신호를 안정적으로 전송하면서 최대 ±80V DC 접지 오프셋과 1MHz에서 최대 140Vpp AC 잡음을 제거할 수 있다.
차량용 전력 시스템이 빠르게 진화하면서 저전압에서 실리콘(Si) 반도체와 고전압 영역에서 실리콘 카바이드(SiC) 기반의 반도체가 활용되던 지금까지의 추세에서 벗어나 새롭게 GaN(Gallium Nitride) 솔루션이 차세대 차량용 전력반도체로 주목받고 있다. GaN은 200∼500V 전원계에서 최적의 효율을 제공하며, 50W부터 25kW까지 폭넓은 전력 스케일링을 가능하게 해 전력밀도와 함께 시스템 소형화를 동시에 실현할 수 있다. 최근에는 200V 이하의 저전압 시스템에서도 GaN 적용이 확대되고 있어 설계 요구에 따라 최적의 디바이스 선택이 가능해졌다. 이런 가운데 차량용 GaN 전력반도체와 관련해 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments)가 오는 9월9일 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에 참여해 ‘TI GaN FET으로 전력 밀도가 높고 효율적인 디지털 파워 시스템 구현하기’라는 주제로 발표를 진행할 예정이다. 이에 발표를 맡은 김승목 TI 차장과의 인터뷰를 통해 TI의 GaN 디바이스에 대해 알아보는 자리를 마련했다.
텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI) 김승목 차장은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘TI GaN FET으로 전력 밀도가 높고 효율적인 디지털 파워 시스템 구현하기’라는 주제로 발표하며, 전기차, 재생에너지, 고효율 전원장치 등 차세대 산업의 핵심은 전력 반도체라고 강조했다. 김승목 차장은 먼저 전력 반도체의 진화를 짚으며, “20년 전까지만 해도 IGBT가 주류였지만, SiC가 등장하면서 1,200V 이상 고전압 시스템에 적용되기 시작했다. 그러나 스위칭 주파수 측면에서는 한계가 있었다. 반면에 GaN은 600∼650V급 전압에서 12㎒까지 스위칭이 가능해 전력 밀도를 획기적으로 높일 수 있다”고 언급했다.
텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI)는 20일 웨스틴 서울 파르나스에서 ‘TI Embedded Labs 2025’를 개최하고, 임베디드 시스템 분야의 혁신적인 기술과 제품 포트폴리오를 공개하며, TI가 SDV, AI, 레이더, 무선 커넥티비티 등 최신 트렌드에 어떻게 대응하고 있는지 집중적으로 다뤘다. 기조연설에서 박중서 TI 코리아 대표이사는 시장의 요구에 맞는 기술 개발과 더불어 전세계 생산 시설 확충을 통해 공급망에 문제가 없도록 내부 캐파 확장에 적극 나서고 있다고 밝혔다.
텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI)가 개최한 ‘TI Embedded Labs 2025’에서 박성일 TI 이사는 ‘AM26 MCU를 활용한 이더넷 링 아키텍처 설계로 존 아키텍처 간소화하기’라는 발표를 통해 “최근 업계에서는 AM26 MCU를 활용한 이더넷 링 아키텍처가 존(영역) 아키텍처의 복잡성을 획기적으로 줄이는 솔루션으로 주목받고 있다”고 밝혔다.