기존 512GB eUFS 3.0 대비 쓰기 속도 3배 향상
저장속도 1,200MB/s로 SATA SSD 대비 2배
평택 양산 확대, 시안 신규 2라인 가동


삼성전자는 17일, 스마트폰용 메모리인 ‘512GB(기가바이트) eUFS 3.1(embedded Universal Flash Storage 3.1)’을 양산한다고 밝혔다.

512GB eUFS 3.1는 연속 쓰기 속도를 대폭 확장했다. 1,200MB/s로 기존 512GB eUFS 3.0의 410MB/s보다 약 3배 빠르다. 또한, SATA SSD를 탑재한 PC의 데이터 처리속도(540MB/s)보다 2배 이상, UHS-I 마이크로SD 카드 속도(90MB/s) 보다 10배 이상 빠르다.

연속 읽기 속도는 2,100MB/s로 기존 eUFS 3.0 제품과 동등하다. 임의 읽기와 임의 쓰기 속도는 각각 100,000 IOPS(Input/Output operations per second), 70,000 IOPS로, 63,000 IOPS, 68,000 IOPS인 eUFS 3.0 제품보다 각각 1.6배, 1.03배 소폭 향상됐다.

삼성전자는 512GB, 256GB, 128GB 세 가지 용량으로 구성된 'eUFS 3.1' 제품군으로 올해 플래그십 스마트폰 메모리 시장을 선점할 계획이다.

한편, 삼성전자는 평택캠퍼스 P1 라인에서 생산 중인 5세대 V낸드를 6세대 V낸드로 전환했다. 또한, 최근 첫 제품 출하식을 가진 중국 시안 신규 2라인(X2)에서도 5세대 V낸드 양산을 시작했다.