기존 실리콘(Si) 소재 기반 반도체보다 높은 전압을 허용하고, 손실도 낮은, 실리콘카바이드(SiC) 및 갈륨나이트라이드(GaN) 소재 기반의 와이드밴드갭(WBG) 반도체의 활용빈도가 증가하고 있다. 최근 온세미컨덕터는 650V SiC MOSFET를 출시하며 자사의 WBG 디바이스 제품군을 확대했고, 이를 통해 이전에는 서비스가 부족했던 전력 대역에서 보다 향상된 효율성을 제공하고 있다.
2021-03-13 오후 3:45:09by 이수민 기자
인피니언이 차세대 80V 및 100V 전력 MOSFET 기술인 StrongIRFET 2를 공개했다. 낮은 스위칭 주파수와 높은 스위칭 주파수 모두에 최적화됐고, 다양한 애플리케이션에 사용할 수 있어 설계 유연성이 높다. 이전 세대와 비교해서 RDS(on)이 40% 향상됐고, Qg가 50% 이상 낮아 더 높은 전력 효율로 전반적인 시스템 성능을 향상한다.
2021-03-19 오전 10:00:02by 강정규 기자
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 6kV의 갈바닉 절연을 제공해 컨슈머 및 산업용 애플리케이션의 안전을 보장하는 절연 게이트 드라이버 STGAP2SiCS를 추가했다.
2021-04-02 오후 1:42:44by 배종인 기자
