3세대 '울트라 필드 스탑 '기술 기반
고전력 스위칭 시스템 위한 전력 효율성 제공
 
온세미컨덕터가 자사 소유의 울트라 필드 스탑 트렌치 기술을 이용한 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)의 새로운 시리즈를 발표했다.

이들 세 가지 모델(NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG 그리고 NGTB40N120L3WG)로 출시된 제품들은 높은 수준의 작동 성능을 전달해 최신 스위칭 애플리케이션의 정확한 요구에 부응하도록 설계되었다. 
 
이 1200V용 소자들은 업계를 선도하는 '토탈 스위칭 손실(Ets)' 특성을 제공한다. 매우 넓고 높게 활성화된 '필드 스탑 층'과 최적화된 'co-pack' 다이오드를 특징으로 하는 이 제품들은 기존 제품들에 비해 획기적인 성능 개선 효과를 제공한다.

 
NGTB40N120FL3WG는 2.7 밀리줄(mJ)의 Ets를, NGTB25N120FL3WG는 1.7mJ를 제공하는데 두 소자 모두 각각의 정격 격류에서 1.7V의 VCEsat를 갖는다. NGTB40N120L3WG는 저전도 손실에 최적화되어 있으며 정격 전류에서 1.55V의 VCEsat 와 3mJ의 Ets를 제공한다. 
 
이번에 출시된 '울트라 필드 스탑' 제품들은 soft 턴-오프 기능을 제공하면서도 역 회복 손실을 최소화하는 고속 회복 다이오드와 함께 실장된다. NGTB25N120FL3WG 와NGTB40N120FL3WG는 무정전 전원 장치 (UPS)와 태양열 인버터에 최적화되어 있으며 NGTB40N120L3WG는 모터 드라이브가 중요 애플리케이션이다. 
 
온세미컨덕터의 파워 소자 사업부 수석이사 및 총괄 담당 아시프 자콰니(Asif Jakwani)는 “당사가 출시한 새로운 '울트라 필드 스탑' IGBT는 고속 회복 다이오드와 함께 VCEsat  와 Ets 가 완벽하게 조화를 이루도록 스윗 스팟 기능을 제공함으로써 다양한 범위의 스위칭 구동 주파수에 걸쳐서 스위칭 손실을 줄이는 동시에 어려운 스위칭 애플리케이션의 전력 효율성을 강화했다. 이 기술은 엔지니어들이 IGBT로부터 기대하는 원가 절감 및 안정적인 작동을 모두 제공한다”고 말했다.