Microchip 실리콘 카바이드(SiC) 파워 솔루션

2021-08-31 10:30~12:00

Microchip Technology Inc. / 민석규 수석

웨비나정보 웨비나Q&A

임*수2021-08-31 오전 10:37:28
IGBT와의 switching loss 비교에서, 스위칭 속도가 2배라고 하니까 turn-on loss가 절반 정도인 것은 납득이 가는데요, turn-off loss가 IGBT에 비해 이렇게까지 비약적으로 좋아지는 이유는 무슨 특성 때문인가요?
Microchip_Jake2021.08.31
기본적으로 IGBT 전자와 정공의 2종류 캐리어를 사용하는 바이폴라 소자이면서, 낮은 포화 전압 (파워 MOSFET의 저 ON 저항에 해당)과, 비교적 빠른 스위칭 특성을 가지지만, 비교적 빠른 스위칭 특성이라고 해도, 파워 MOSFET에 비해서는 효율이 낮은 것이 사실입니다. 반면, SiC는 드리프트 층을 얇게 할 수 있어, 단위 면적 당 ON 저항이 매우 낮아 고내압 디바이스이기에, 고속 다수 캐리어 디바이스를 고내압화 할 수 있습니다.
김*수2021-08-31 오전 10:36:13
nexperia 제품 대비 어떤 특장점이 있을까요?
Microchip_Douglas2021.08.31
제가 Nexperia제품은 아직 스터디가 안된 관계로...... 본문영상에 경쟁사 대비 저희 마이크로칩의 특장점이 아주 잘 기술되어 있습니다. 특히 러기드니스(강건함)과 UIS(Unclamped inductive swtiching)은 매우 독보적입니다.
이*희2021-08-31 오전 10:36:08
전기차 충전기 등 차세대 에너지 소재로 SiC (탄소규소)가 많이 활용되고 있는데요. SiC의 장점 및 활용 가능 분야 등이 알고 싶습니다.
Microchip_ks2021.08.31
고전압 고효율등을 들수 있습니다. Switching loss 가 거의 없음. 활용가능한 분야는 고속 충전기 입력전압이 400V 이상, 태양광 인버터, Server 등 사용가능합니다.
김*수2021-08-31 오전 10:33:42
R_DS(ON) 저항등 내부 파라미터 개선도 되나요?
Microchip_Douglas2021.08.31
SiC는 Si대비하여 Rds on값이 매우 낮으며, 온도에 따라서 안정값을 갖습니다. 따라서 Si대비 온도 factor를 조금더 높게 가지고 가셔도 무방합니다. 또한 Trun off loss가 거의 zero에 가까워 high power application에 매우 유리합니다.
이*혁2021-08-31 오전 10:31:43
마이크로칩이 FPGA뿐아니라 전력반도체도 하는군요
Microchip_Douglas2021.08.31
2018년 5월에 Microsemi를 합병하여 솔루션을 갖게 되었습니다. 알고계신 전력 반도체 high voltage grade에는 장점이 있습니다.

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