산업기기 · 민생기기를 위한 Pch 파워 MOSFET 솔루션과 적용 사례

2026-03-19 10:30~12:00

ROHM / 김주연 주임연구원

웨비나정보 웨비나Q&A

김*숙2026-03-19 오전 10:56:47
Pch MOSFET의 게이트 구동 전압 설계 시 게이트 산화막 신뢰성과 수명은 어떻게 고려해야 하는지 궁금합니다
ROHM12026.03.19
Pch Fet등의 디스크리트의 경우 별도의 MTTF 자료 등으로 제출 드리고 있습니다.
이*현2026-03-19 오전 10:56:07
배터리 보호 회로 관점에서 Pch MOSFET 적용 사례가 궁금합니다.
ROHM22026.03.19
자료 23P 참조 부탁드립니다
최*태2026-03-19 오전 10:55:48
하이사이드 스위칭에서 Nch 대신 Pch MOSFET를 사용할 경우 전체 시스템 효율에 미치는 영향이 어느 정도인지 궁금합니다
ROHM12026.03.19
동일 Ron 기준으로 Pch이 Nch 보다 Chip가 크기 때문에 Qg닶이 커져 스위칭 Loss 가 증가할 가능성이 있습니다.
이*혁2026-03-19 오전 10:55:07
P채널 스위칭 경우 스위칭 속도 낮은 문제가 있는데 5세대 경우 스위칭 속도에 대해 문의 드립니다.
ROHM22026.03.19
5세대 Pch MOSFET의 경우, 주요 개선 포인트는 미세 프로세스와 트렌치 구조 최적화를 통한 ON 저항 저감 및 대전류 대응이며, 스위칭 특성은 개별 제품의 데이터시트 상 Qg, td(on/off), tr/tf 항목으로 확인이 필요합니다.
이*혁2026-03-19 오전 10:52:35
P채널 경우 회로설계 단소화로 비용절감이 되지만 높은 온저항으로 낮은 효율이 문제가 되는데 ROHM사에서 개발한 P채널이 타사 제품 효율이 얼마나 좋은지 비교해 주시면 좋을거 같습니다.
ROHM12026.03.19
자료의 15Page 참조 부탁 드립니다.
김*수2026-03-19 오전 10:52:02
P채널 MOSFET의 낮은 ON 저항이 강조되었는데, 실제 전원 회로에서 적용시 소비전력 감소 효과를 체감할 수 있는 실사례가 궁금합니다.
ROHM22026.03.19
특히 High-side 로드 스위치나 배터리 스위치, 모터 H-bridge 상측 스위치처럼 도통 전류가 큰 용도에서는 손실이 I²R에 비례하므로, ON 저항 저감이 곧 소비전력 감소와 발열 저감으로 직결됩니다
정*호2026-03-19 오전 10:49:36
[질문] 저전압, 고전류 환경에서 패키지 사이즈가 중요한데, 로옴의 저내압 MOSFET은 소형 패키지에서도 발열을 효과적으로 제어할 수 있는 구조적 특징이 있는지요?
ROHM22026.03.19
ROHM의 저내압 MOSFET은 소형 패키지에서도 발열을 억제할 수 있도록 저Rds(on) 5세대 공정과 이면 방열형 하이파워 패키지를 함께 적용하고 있습니다. 따라서 동일한 사이즈 패키지에서도 손실 저감과 방열성 개선을 통해 더 높은 전류 대응이 가능하도록 설계된 점이 특징입니다
권*식2026-03-19 오전 10:48:05
잘 설명해주셔서 감사드리구요, 로옴 Pch MOSFET가 상당히 차별화된 듯 한데 고용량/낮은 저항 손실 대비 사이즈 측면에서는 소형화 이점이 있는지요? 동일 사이즈 대비 특성 효과로 설명해주시면 더 좋을 듯합니다, 추가로 전장용 라인업은 홈페이지 제품 Data sheet 열람 가능한지 궁금합니다
ROHM12026.03.19
Chip Size 기준으로 Ron 값을 낮추었기 때문에 소형화 및 저가 설계가 가능합니다. 홈페이지에 들어가시면 Datasheet를 다운로드 가능합니다. https://www.rohm.co.kr/products/mosfets/automotive
최*빈2026-03-19 오전 10:47:40
Pch MOSFET에서 온저항 증가 문제를 해결하기 위해 어떤 공정 기술이나 구조 개선이 적용되는지 궁금합니다 저온저항과 고내압을 동시에 만족시키기 위한 트레이드오프 설계 방법이 어떻게 되는지요?
ROHM22026.03.19
저온저항화를 위해서는 미세 공정화와 트렌치 구조 최적화가 핵심입니다. ROHM은 5세대 미세 프로세스와 게이트 트렌치 미세화를 통해 전류 밀도를 높여 동일 사이즈 대비 ON 저항을 크게 낮추고 있습니다. 다만 MOSFET는 일반적으로 저온저항과 고전류화는 트레이드 오프 관계 임으로 허용 범위에서 셀 구조와 드리프트 영역을 최적화해 손실과 내압의 균형점을 찾는 방식으로 설계됩니다
이*주2026-03-19 오전 10:45:09
배터리 보호 회로나 로드 스위치 구성에서 5세대 제품을 적용하면 대기 전류나 스위칭 손실 측면에서 어떤 체감 효과가 있는지 궁금합니다.
ROHM12026.03.19
배터리 보호 회로나 로드 스위치의 경우 고속 스위칭하지 않는 Application으로 생각합니다. 하여 5세대의 Ron 값이 낮은 제품을 적용하면 Conduction Loss를 줄일수 있다고 생각합니다.