마이크로칩 5월 배너
반도체 AI 보안 인더스트리 4.0 자동차 스마트 IoT 컴퓨터 통신 특수 가스 소재 및 장비 유통 정책 e4ds plus

삼성전자, 평택 2라인서 EUV 공정 적용한 D램 첫 출하

기사입력2020.08.31 10:21

D램 양산 시작으로 차세대 V낸드와
초미세 파운드리 제품 생산 예정



삼성전자는 30일, 세계 최대 규모의 반도체 생산 라인인 평택 2라인의 가동에 들어갔다고 밝혔다. 이 라인에서는 업계 최초로 극자외선(Extreme Ultraviolet; EUV) 공정을 적용한 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램이 생산된다.
▲ 평택 2라인 [사진=삼성전자]

평택 2라인은 총면적이 축구장 16개 크기인 12만8,900㎡에 달하며, D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품 등을 2021년 하반기부터 생산할 방침이다.

2015년부터 조성된 평택 캠퍼스는 289만㎡의 부지를 가진 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지다. 평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했으며 평택 2라인은 2018년 1월 착공되어 이번에 처음으로 D램 제품을 출하했다.
▲ 3세대 1z 기반 16GB LPDDR5 [사진=삼성전자]

이번에 출하한 EUV 공정이 적용된 3세대 10나노(1z) 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 동작 속도(6400Mb/s)가 기존 12Gb LPDDR5 모바일 D램(5500Mb/s)보다 16% 빠르다.

기존 제품(12Gb 칩 8개와 8Gb 칩 4개 필요)과 달리 8개 칩만으로 16GB 제품을 구성할 수 있으며, 64핀(x64, JEDEC 규격) 구성 패키지 기준으로 16GB 제품은 1초에 51.2GB의 데이터를 처리할 수 있다. 이에 따라 부품 수가 많은 5G 스마트폰이나 폴더블폰 등에 적합하다.

삼성전자는 향후 고온 신뢰성을 확보하여 전장용 제품까지 사용처를 확대할 계획이다.
이수민 기자
기사 전체보기