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TI, 최저 저항을 달성하는 60V N-채널 전력 MOSFET 출시

기사입력2016.06.23 06:22

1.2mm2 FemtoFET, 기존의 60V 부하 스위치 보다 80% 작아진 극소형 LGA 패키지 

TI (대표이사 켄트 전)는 업계 최저 저항을 달성하는 새로운 60V N 채널 FemtoFET 전력 트랜지스터 제품을 출시한다고 밝혔다.

신제품 CSD18541F5은 기존의 60V 부하 스위치보다 90% 낮은 저항을 달성함으로써 최종 시스템의 전력 손실을 줄여준다. 또한, 극소형의 1.53mm x 0.77mm 실리콘 기반 패키지로 제공되어, SOT-23 패키지로 제공되는 부하 스위치와 비교해서 풋프린트가 80% 절감된 크기이다. 

CSD18541F5 MOSFET은 54mW의 정격 온-저항(Rdson)을 유지하며, 공간 제약적인 산업용 부하 스위치 애플리케이션에서 표준적 소신호 MOSFET을 대체하도록 설계 및 최적화되었다.

또한, 소형화된 LGA(land grid array) 패키지로 패드 간에 0.5mm 피치이므로 제조 시에 탑재를 용이하게 한다. 

CSD18541F5은 TI NexFET™ 기술 포트폴리오의 FemtoFET MOSFET 제품군의 신제품으로써 더 높은 전압을 제공하고 제조를 용이하게 한다.