“GaN, 에피웨이퍼 품질 개선될수록 시장 확대”
기사입력 2026.04.28 14:05
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인피니언(Infineon Technologies AG)의 중전압 GaN 양방향 스위치(CoolGaN™ BDS 40V G3)와 300㎜ 파워 GaN 기술이 업계에서 ‘게임체인저’로 평가받으며 차세대 전력 시스템의 핵심 축으로 부상하고 있는 것으로 나타났다.
2026-01-05 오전 8:56:58by 배종인 기자
인피니언 테크놀로지스가 연례 보고서 ‘GaN 인사이트 2026’을 통해 GaN(갈륨 나이트라이드) 전력 반도체 시장이 2030년 약 30억 달러 규모로 성장할 수 있다고 제시했다. 보고서는 2026년 시장 규모를 9억2000만 달러로 추산하며, 2025년(5억8400만 달러) 대비 58% 성장할 것으로 전망했다. 인피니언은 고전압 GaN 양방향 스위치(BDS)에 더블 게이트 구조의 공통 드레인 설계를 적용해, 기존 백투백 구성 대비 다이 크기 축소가 가능하다고 설명했다. 또한 GaN 적용 분야가 AI 데이터센터, 로보틱스, 전기차, 신재생에너지와 디지털 헬스·양자컴퓨팅 등으로 확장되고 있다고 밝혔다.
2026-02-12 오전 11:14:43by 명세환 기자
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재생에너지와 에너지 저장 시스템(ESS) 시장이 빠르게 성장하면서, 전력 변환 효율과 시스템 소형화를 동시에 만족시키는 반도체 기술에 대한 요구가 높아지고 있다. 이러한 흐름 속에서 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)가 선보인 CoolGaN™ BDS 650V G5는 차세대 전력 전자 설계의 방향성을 제시하는 핵심 솔루션으로 주목받고 있다.
2026-02-26 오후 12:10:35by 배종인 기자
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휴머노이드 로봇 설계의 핵심은 인간과 유사한 외형보다 정밀한 내부 시스템에 있다. 최근 발표한 텍사스인스트루먼트(TI, Texas Instruments)의 기술 자료는 고자유도 모터 제어, GaN 기반 전력 소자를 활용한 고효율·소형화 설계, 고해상도 전류·전압 센싱을 통한 정밀 제어의 중요성을 강조한다. 여기에 기능 안전을 고려한 이중화 구조와 고속 차단 설계가 더해져야 인간과 같은 공간에서 신뢰할 수 있는 로봇이 완성된다.
2026-03-10 오전 9:22:09by 배종인 기자
다보(DABO)의 조용규 전무는 인피니언 테크놀로지스와 함께하는 로보틱스 웨비나를 통해, 개별 부품이 아닌 시스템 관점의 설계 철학을 강조했습니다. 조 전무는 "휴머노이드는 수십 개의 관절 모터를 동시에 제어해야 하므로 시스템 레벨의 접근이 필수적"이라고 진단했습니다.핵심 솔루션인 P4C3 MCU는 초소형 사이즈로 각 관절에 탑재되어 고속 연산과 정밀 제어를 수행하며 , 차세대 전력 반도체인 CoolGaN™은 기존 실리콘 MOSFET 대비 손실을 최대 60%까지 낮춥니다. 이를 통해 모터 드라이버 크기를 40% 축소하고 방열판을 제거하여 로봇의 무게와 부피를 획기적으로 줄일 수 있습니다.조 전무는 인피니언의 SOC(System on Chip) 개념을 "단일 칩이 아닌, 최적의 반도체군을 유기적으로 엮어낸 설계 철학"으로 정의하며 , 검증된 레퍼런스 디자인을 통해 개발자가 POC 및 타임 투 마켓을 단축할 수 있다고 강조했습니다. 또한 레이더와 ToF 등 통합 센서 솔루션과 양자 내성 보안 기술을 결합하여 로봇의 인지 능력과 안전성을 동시에 확보하는 전략을 제시했습니다
2026-03-12 오전 9:34:00by 명세환 기자
ST마이크로일렉트로닉스가 2세대 MasterGaN 하프 브리지 전력 IC ‘MasterGaN6’을 출시했다. 이 제품은 140mΩ의 RDS(on)을 지원하는 GaN 전력 트랜지스터와 업데이트된 BCD 드라이버를 하나의 패키지에 통합한 것이 특징이다. 스탠바이와 결함 표시를 위한 전용 핀, 보호 기능, 외부 부품 절감 설계를 바탕으로 충전기·어댑터, 산업용 조명 전원공급장치, 태양광 마이크로 인버터 등에서 활용할 수 있도록 설계됐다. ST는 평가 보드와 설계 지원 도구도 함께 제공해 제품 검토와 개발 편의성을 높인다는 계획이다.
2026-03-18 오후 2:13:31by 배종인 기자
ST마이크로일렉트로닉스가 가전제품과 산업용 드라이브용 모터 제어를 겨냥한 GaN 기반 레퍼런스 디자인 ‘EVSTDRVG611MC’를 공개했다. 이 보드는 STDRIVEG611 게이트 드라이버, 650V급 GaN HEMT, STM32G431 마이크로컨트롤러를 결합한 3상 인버터 구조로, BLDC·PMSM 구동 평가와 개발에 사용할 수 있다. 회사는 회로도, BOM, 거버 파일, 펌웨어 개발 지원 도구를 함께 제공해 설계 검토와 제품 개발 기간을 줄일 수 있다고 설명했다. 제품은 공식 유통망과 eStore를 통해 판매 중이다.
2026-03-30 오후 1:42:43by 배종인 기자
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인공지능(AI) 데이터센터의 전력 수요가 급증하고, 전기차와 재생에너지 설비가 전 산업으로 확산되면서 전력 반도체 시장의 중심축이 SiC, GaN 등의 와이드밴드갭(WBG) 반도체로 옮겨가고 있다. 와이드밴드갭 전력반도체 시장에서는 TI, 인피니언, ST, 온세미, 울프스피드, 로옴 등 핵심 플레이어로 시장을 이끌고 있으며, 기술 개발 및 생산 확대에 힘쓰고 있다. 이에 와이드밴드갭 반도체 시장을 짚어봤다.
2026-04-10 오전 9:36:47by 배종인 기자
탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)은 더 높은 전압과 온도, 더 빠른 스위칭을 가능하게 해 전기차, AI 데이터센터, 산업용 전원, 재생에너지 설비의 효율을 끌어올리는 핵심 소자로 주목받고 있는 가운데 개발자들이 GaN, SiC 반도체를 사용할 때 실무에서 어떤 것들을 체크해야 하는지에 대해 인피니언, TI, ST 등 주요 전력 반도체 회사들의 자료와 전문가들의 조언을 통해 알아봤다.
2026-04-10 오전 10:24:14by 배종인 기자
ST마이크로일렉트로닉스가 모션 제어와 전력 스테이지를 겨냥한 고속 하프브리지 GaN 게이트 드라이버 2종을 공개했다. 새 제품은 220V용 STDRIVEG212와 600V용 STDRIVEG612로, 5V 게이트 구동과 보호 기능, 부트스트랩, LDO를 한 패키지에 묶은 것이 특징이다. 과전류 감지 시 두 스위치를 차단하는 기능과 자동 복귀를 늦추는 Smart Shutdown도 넣었다. ST는 두 제품을 현재 생산 중이며, 평가보드와 함께 공급하고 있다고 밝혔다.
2026-04-14 오전 11:07:33by 배종인 기자
전력 공급 능력이 AI 혁신의 속도와 성패를 가늠하는 핵심 요소로 부상하고 있는 가운데 이론적 한계에 부딪힌 실리콘을 대신해 새로운 전력 반도체 소재로 급부상하고 있는 SiC, GaN이 주도하는 반도체 시장에 대해 살펴봤다.
2026-04-23 오후 4:42:10by 배종인 기자
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